[发明专利]光伏系统及其制造方法无效
申请号: | 201080045498.3 | 申请日: | 2010-10-07 |
公开(公告)号: | CN102576762A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 崔哲焕 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 系统 及其 制造 方法 | ||
1.一种光伏装置,包括:
衬底;
背电极层,配置在所述衬底上;
多个第一中间层,配置在所述背电极层上;
多个第二中间层,配置在所述背电极层上,且每个第二中间层配置在所述第一中间层之间;
光吸收层,配置在所述第一中间层和所述第二中间层上;以及
前电极层,配置在所述光吸收层上。
2.如权利要求1所述的光伏装置,其中,所述第二中间层具有比所述第一中间层大的电导率。
3.如权利要求2所述的光伏装置,其中,所述光吸收层具有露出所述第二中间层的多个通孔。
4.如权利要求3所述的光伏装置,进一步包括配置在所述光吸收层和所述前电极层之间的缓冲层,
其中,所述通孔穿过所述缓冲层。
5.如权利要求3所述的光伏装置,进一步包括从所述前电极层延伸的多个连接线,每个连接线被设置在所述通孔中,并接触所述第二中间层。
6.如权利要求1所述的光伏装置,其中,所述第一中间层和所述第二中间层由相同的材料制成,以及
所述第二中间层具有比所述第一中间层大的晶粒。
7.如权利要求6所述的光伏装置,其中,所述第二中间层的晶粒尺寸为所述第一中间层的晶粒尺寸的2到5倍。
8.一种光伏装置,包括:
衬底;
第一电池单元和第二电池单元,配置在所述衬底上;以及
连接线,将所述第一电池单元的第一前电极与所述第二电池单元的第二背电极连接,
其中,所述第二电池单元包括:
所述第二背电极;
第二光吸收单元,配置在所述第二背电极上;
第二前电极,配置在所述第二光吸收单元上;
第一中间层,配置在所述第二背电极和所述第二光吸收单元之间;以及
第二中间层,配置在所述连接线和所述第二背电极之间。
9.如权利要求8所述的光伏装置,其中,所述第二中间层具有比所述第一中间层的电导率大的电导率。
10.如权利要求8所述的光伏装置,其中,所述第二中间层具有比所述第一中间层的晶粒尺寸大的晶粒尺寸。
11.如权利要求8所述的光伏装置,其中,所述第一中间层和所述第二中间层包括所述第二背电极中所包含的材料以及所述第二光吸收单元中所包含的材料。
12.如权利要求8所述的光伏装置,其中,所述连接线通过所述第二中间层与所述第二背电极连接。
13.如权利要求8所述的光伏装置,其中,所述第二中间层直接与所述连接线和所述第二背电极连接。
14.如权利要求8所述的光伏装置,其中,所述第一中间层和所述第二中间层包括相同的材料,以及
所述第一中间层和所述第二中间层具有不同的晶体结构。
15.一种光伏装置的制造方法,包括:
在衬底上形成背电极层;
在所述背电极层上形成光吸收层;
在所述背电极层和所述光吸收层之间形成中间层;
形成穿过所述光吸收层的通孔;
对通过所述通孔露出的中间层结晶化以形成第二中间层;以及
在所述光吸收层上形成前电极层。
16.如权利要求15所述的方法,其中,通过使所述背电极层中所包含的材料与所述光吸收层中所包含的材料发生反应形成所述第一中间层。
17.如权利要求15所述的方法,其中,对通过所述通孔露出的所述中间层选择性地加热,从而形成所述第二中间层。
18.如权利要求15所述的方法,其中,在形成所述通孔时,使用针尖对所述光吸收层进行划刻,以及
所述针尖的温度为约400℃至约1000℃。
19.如权利要求15所述的方法,进一步包括:在形成所述通孔时,对所述中间层中与所述通孔相对应的部分进行加热。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080045498.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的