[发明专利]用于确定衬底上的对象的近似结构的方法、检验设备以及衬底有效
申请号: | 201080045674.3 | 申请日: | 2010-09-13 |
公开(公告)号: | CN102576188A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | H·克拉莫;H·麦根斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G03F7/20;G01N21/956;G01N21/95 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 确定 衬底 对象 近似 结构 方法 检验 设备 以及 | ||
1.一种确定衬底上的对象的近似结构的方法,所述衬底包括上层和下层,所述衬底包括第一区域,所述第一区域包括所述对象,所述对象包括上层的图案化部分和下层的一部分,并且所述衬底还包括没有上层的第二区域,所述第二区域包括下层的一部分,所述方法包括步骤:
(a)检测通过辐射束照射第一区域引起的衍射信号;
(b)检测通过辐射束照射第二区域引起的电磁散射属性;和
(c)基于所检测的衍射信号和所检测的电磁散射属性来确定对象的近似结构。
2.如权利要求1所述方法,其中,确定所述对象的近似结构的步骤包括使用所检测的电磁散射属性以确定下层的近似结构。
3.如权利要求1或2所述方法,其中,所述下层的部分在第一和第二区域处是未图案化的,并且所检测的电磁散射属性包括零级反射信号。
4.如权利要求1或2所述方法,其中,所述下层的部分在第一和第二区域处是图案化的,并且所检测的电磁散射属性包括衍射信号。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述第一区域与第二区域相邻。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,在形成上层和下层之后实施第一和第二区域的照射和相应的检测。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中,确定对象的近似结构的步骤包括步骤:
(a)估计至少一个被估计的对象结构;
(b)由所述至少一个被估计的对象结构确定至少一个模型衍射信号;
(c)将所检测的衍射信号与所述至少一个模型衍射信号对比;和
(d)基于将所检测的衍射信号与所述至少一个模型衍射信号对比的结果确定对象的近似结构,
其中估计至少一个被估计的对象结构的步骤基于所检测的电磁散射属性。
8.如权利要求7所述的方法,还包括在第一库内布置多个模型衍射信号的步骤,并且将所检测的衍射信号与所述至少一个模型衍射信号对比的步骤包括将所检测的衍射信号与第一库的内容匹配。
9.如权利要求7或8所述的方法,还包括重复估计至少一个被估计的对象结构、确定至少一个模型衍射信号以及对比所检测的衍射信号的步骤,其中估计至少一个被估计的对象结构的步骤基于之前的重复对比所检测的衍射信号的步骤的结果。
10.如权利要求7至9中任一项所述的方法,其中,估计至少一个被估计的对象结构的步骤包括通过下面的步骤确定下层的近似结构的步骤:
(a)估计至少一个被估计的下层结构;
(b)由所述至少一个被估计的下层结构确定至少一个模型电磁散射属性;和
(c)对比所检测的电磁散射属性与所述至少一个模型电磁散射属性;和
(d)基于所检测的电磁散射属性和所述至少一个模型电磁散射属性的对比结果确定下层的近似结构。
11.如权利要求10所述的方法,还包括在第二库中布置多个模型衍射电磁散射属性的步骤,并且对比所检测的电磁散射属性和所述至少一个模型电磁散射属性的步骤包括将所检测的电磁散射属性信号与第二库中的内容匹配。
12.如权利要求10或11所述的方法,还包括步骤:重复估计至少一个被估计的下层结构、确定至少一个模型电磁散射属性以及对比所检测的电磁散射属性的步骤,其中估计至少一个被估计的下层结构的步骤基于之前的重复对比所检测的电磁散射属性的步骤的结果。
13.一种用于确定衬底上的对象的近似结构的检验设备,所述衬底包括上层和下层,衬底包括第一区域,第一区域包括所述对象,所述对象包括上层的图案化部分和下层的一部分,并且衬底还包括没有上层的第二区域,所述第二区域包括下层的一部分,所述检验设备包括:
(a)照射系统,配置成用辐射照射第一和第二区域;
(b)检测系统,配置成检测由照射第一区域产生的衍射信号和检测由照射第二区域产生的电磁散射属性;和
(c)处理器,配置成基于所检测的衍射信号和所检测的电磁散射属性确定对象的近似结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080045674.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备