[发明专利]用于低失真可编程增益放大器的动态开关驱动器

权利要求书

1.一种用于切换时变输入信号的开关电路，所述开关电路包括：

至少一个开关，包括N沟道MOSFET和P沟道MOSFET，所述N沟道MOSFET和所述P沟道MOSFET均具有被配置为接收驱动信号以改变所述开关的导通/关断状态的栅极；以及

驱动电路，被配置和设置成选择性施加一对驱动信号来改变所述开关的导通/关断状态，所述驱动电路被配置和设置成生成作为下述内容的函数的驱动信号：(a)足够改变所述开关的导通/关断状态的一对DC信号分量，以及(b)作为出现在每个MOSFET的源极端子上的信号的至少部分复制的一对时变信号分量，以使得当所述n沟道MOSFET和所述p沟道MOSFET的栅极分别施加有DC信号时，所述驱动信号将处于保持所述开关的所述导通/关断状态并且将每个MOSFET的栅极—源极电压保持在所述MOSFET的栅极—源极击穿限制内的适当水平。

2.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述MOSFET中的每一个包括两个源极—漏极端子，并且所述MOSFET被配置为一个MOSFET的一个源极—漏极耦合到另一个MOSFET的一个源极—漏极，以形成MOSFET源极—漏极端子的第一耦合对，并且所述MOSFET的剩余源极—漏极端子彼此耦合，以形成MOSFET源极—漏极端子的第二耦合对。

3.根据权利要求2所述的开关电路，其中，所述驱动电路包括具有耦合到MOSFET源极—漏极端子的一个耦合对的输入端的第一缓冲放大器，以及具有耦合到第二对MOSFET源极—漏极端子的输入端的第二缓冲放大器，所述缓冲放大器中的每一个具有被配置成生成输出信号的输出端子，所述输出信号基本上为所述时变输入信号的复制品。

4.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述n沟道MOSFET和p沟道MOSFET均包括两个源极—漏极端子，并且所述驱动电路被配置和设置成：当所述开关处于关断状态时，施加到所述n沟道MOSFET的栅极的电压等于施加到所述n沟道MOSFET的最负源极—漏极的电压或比施加到所述n沟道MOSFET的最负源极—漏极的电压更负，施加到所述p沟道MOSFET的栅极的电压比施加到所述p沟道MOSFET的最正源极—漏极的电压更正。

5.根据权利要求4所述的开关电路，其中，所述MOSFET被配置成一个MOSFET的一个源极—漏极耦合到另一MOSFET的一个源极—漏极，以形成MOSFET源极—漏极端子的第一耦合对，并且所述MOSFET的剩余源极—漏极端子彼此耦合，以形成MOSFET源极—漏极端子的第二耦合对。

6.根据权利要求1所述的开关电路，其中，所述n沟道MOSFET和p沟道MOSFET均包括两个源极—漏极端子，并且所述驱动电路被配置和设置成：当所述开关处于导通状态时，施加到所述n沟道MOSFET的栅极的电压相对于其源极—漏极端子的电压足够正，以使得所述n沟道MOSFET提供期望的导通阻抗，并且施加到所述p沟道MOSFET的栅极的栅极—源极电压相对于其源极—漏极端子的电压足够负，以使得所述p沟道MOSFET提供期望的导通阻抗，从而使得两个MOSFET导电。

7.根据权利要求6所述的开关电路，其中，当所述开关处于导通状态时，施加到所述n沟道MOSFET的栅极的所述栅极—源极电压比所述n沟道MOSFET的源极和漏极处的电压更正，并且当所述开关处于导通状态时，施加到所述p沟道MOSFET的栅极的所述栅极—源极电压比所述p沟道MOSFET的源极和漏极处的电压更负。

8.根据权利要求1所述的开关电路，还包括第一和第二电子控制选择器，每一个选择器具有第一和第二输入端子、一个输出端子以及一个控制端子，其中，所述控制端子被配置成接收确定所述第一输入端子或所述第二输入端子是否电耦合到所述输出端子的控制信号，并且其中，两个选择器上的控制端子彼此耦合。

9.根据权利要求8所述的开关电路，还包括，(a)第一缓冲放大器，(b)第一偏移电压发生器，具有耦合到所述第一缓冲放大器的输出端的负端子，所述第一偏移电压发生器包括耦合到第一电子控制选择器的第一输入端子的正端子，以及(c)第二偏移电压发生器，具有耦合到所述第一缓冲放大器的输出端子的正端子，以及耦合到所述第二电子控制选择器的第一输入端子的负端子。