[发明专利]有机光电转换元件及其制造方法无效
申请号: | 201080045772.7 | 申请日: | 2010-10-25 |
公开(公告)号: | CN102576804A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 清家崇广;大西敏博 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L21/28 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 光电 转换 元件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机光电转换元件及其制造方法。
背景技术
有机光电转换元件通常通过包含如下工序的制造方法制造,即(1)准备基板的工序、(2)在基板上形成第1电极的工序、(3)在第1电极上形成第1电荷输送层的工序、(4)在第1电荷输送层上形成活性层的工序、(5)在活性层上形成第2电荷输送层的工序、以及(6)在第2电荷输送层上形成第2电极的工序。
特别是活性层由于含有受电子性化合物、供电子性化合物之类的有机化合物,因而不耐高温,并且存在由于后续的电荷输送层形成工序、例如铝电极之类的电极形成工序中的蒸镀工序之类的高温加工,导致电特性劣化、或者有机化合物分解而丧失功能的情况。
对于具有含有有机化合物的活性层和设置于该活性层上的铝电极的有机光电转换元件的材料涉及的化学劣化、功能劣化,进行了各种研究(参照非专利文献1。)。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1:Solar Energy Materials and Solar Cells 92(2008)686
发明内容
然而,在上述需要以往的高温下的成膜工序的有机光电转换元件的情况下,存在活性层之类的功能层所含有的有机化合物通过热而分解的情况。其结果存在引起有机光电转换元件工作不良的情况。
另外,在利用蒸镀等进行成膜的情况下,真空系统的设备之类的大规模且高价的设备成为必需。因此存在制造工序变繁杂、制造成本增加的情况。
本发明人等对于有机光电转换元件及其制造方法进行深入研究,从而完成本发明。
即本发明提供下述的有机光电转换元件及其制造方法。
〔1〕一种有机光电转换元件,其为具有由第1电极和第2电极构成的一对电极、以及在上述一对电极间夹持的活性层的有机光电转换元件,其中,上述一对电极中的任意一方电极包含碱金属盐或碱土金属盐、和导电体。
〔2〕一种有机光电转换元件,其为具有由第1电极和第2电极构成的一对电极、以及在上述一对电极间夹持的活性层的有机光电转换元件,其中,上述一对电极中的任意一方电极由包含碱金属盐或碱土金属盐的金属盐层与包含导电体的导电体层层叠而构成,并且该金属盐层与上述活性层接合。
〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的有机光电转换元件,导电体为选自Al、Ag、Au、Cu、Sn及Zn所组成的组中的1种以上的金属。
〔4〕根据〔1〕~〔3〕中任一项所述的有机光电转换元件,导电体为直径100nm以下的纳米粒子。
〔5〕根据〔1〕~〔3〕中任一项所述的有机光电转换元件,导电体为纤维状粒子。
〔6〕根据〔1〕~〔5〕中任一项所述的有机光电转换元件,碱金属盐为Li、Na、K或Cs的金属盐。
〔7〕根据〔1〕~〔5〕中任一项所述的有机光电转换元件,碱土金属盐为选自Ca、Mg、Sr、Ba所组成的组中的任一个金属的金属盐。
〔8〕根据〔1〕~〔7〕中任一项所述的有机光电转换元件,碱金属盐及碱土金属盐为选自氯化物、氟化物、溴化物、醋酸盐、草酸盐及碳酸盐所组成的组中的任一种盐。
〔9〕根据〔1〕~〔8〕中任一项所述的有机光电转换元件,碱金属盐及碱土金属盐为粒子直径100nm以下的盐。
〔10〕根据〔1〕~〔9〕中任一项所述的有机光电转换元件,活性层包含富勒烯衍生物。
〔11〕一种有机光电转换元件的制造方法,其为具有由第1电极和第2电极构成的一对电极、以及在上述一对电极间夹持的活性层的有机光电转换元件的制造方法,其包括如下工序:在上述活性层上涂布包含碱金属盐或碱土金属盐、和导电体及溶剂的涂布液而形成上述电极中的任意一方电极。
〔12〕一种有机光电转换元件的制造方法,其为具有由第1电极和第2电极构成的一对电极、以及在上述一对电极间夹持的活性层的有机光电转换元件的制造方法,其包括如下工序:在上述活性层上涂布包含碱金属盐或碱土金属盐、和溶剂的涂布液而形成金属盐层的工序;以及在上述金属盐层上形成包含导电体和溶剂的导电体层的工序。
附图说明
图1为表示第1实施方式的有机光电转换元件的构成的概略截面图。
图2为表示第2实施方式的有机光电转换元件的构成的概略截面图。
符号说明
10:有机光电转换元件
20:基板
32:第1电极
34:第2电极
34a:金属盐层
34b:导电体层
40:活性层
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