[发明专利]高频磁性材料及高频装置无效
| 申请号： | 201080045949.3 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102598164A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 中村明 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/26 | 分类号： | H01F1/26;H01F1/20;H01Q1/38 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 磁性材料 装置 | ||
1.高频磁性材料，是将磁性粒子分散于树脂材料中所形成的高频磁性材料，所述磁性粒子为大体球形，所述树脂材料中含有所述磁性粒子1～60vol％，所述磁性粒子的饱和磁通密度为1T以上，所述磁性粒子的磁各向异性常数在立方晶系材料中为K1＜±800×103J/m3，在单轴各向异性材料中为Ku＜±400×103J/m3。
2.高频磁性材料，是将磁性粒子分散于树脂材料中所形成的高频磁性材料，所述磁性粒子为大体球形，平均粒径d为0.1μm＜d＜1μm，且各粒径的相对粒子体积f(d)满足如下关系：∑{f(d)·d2}＜6.7×10-12。
3.根据权利要求1或2所述的高频磁性材料，所述磁性粒子的扁平率为0.36至2.50。
4.高频磁性材料，是将磁性粒子分散于树脂材料中所形成的高频磁性材料，所述磁性粒子为大体球形，实施了着磁处理。
5.根据权利要求4所述的高频磁性材料，在所述磁性粒子的内部的磁化分布为涡流状环流结构。
6.根据权利要求4或5所述的高频磁性材料，在将所述磁性粒子分散到所述树脂材料中的处理过程中或处理后进行所述着磁处理。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的高频磁性材料，在与所使用的装置中的主要作用磁场方向相平行的方向上实施所述着磁处理。
8.高频装置，由适用了权利要求1至7中任一项所述的高频磁性材料的天线、电路基板及电感器的至少一个构成。
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