[发明专利]分栅式场效应晶体管有效
| 申请号： | 201080046269.3 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102598274A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | K.特里尔;G.杨;C.帕克 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 丁艺;沙捷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分栅式 场效应 晶体管 | ||
1.一种分栅式场效应晶体管装置，包括：
分栅式结构，具有沟槽、栅电极和源电极；
第一多晶硅层，被设置在所述沟槽之内，并且连接到所述源电极；
第二多晶硅层，连接到所述栅电极，其中，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层是独立的。
2.如权利要求1所述的装置，进一步包括：
栅极接触点，其连接所述第二多晶硅层；以及
源极接触点，其连接所述第一多晶硅层。
3.如权利要求2所述的装置，进一步包括：
有源区体；以及
源极接触点，其中所述有源区体和所述源极接触点设置在所述沟槽的外面。
4.如权利要求3所述的装置，其中，所述同一表面平面是经由CMP兼容处理建立的。
5.如权利要求3所述的装置，其中，使用布局方法，以使得CMP兼容处理能够在所述沟槽内，将所述第一多晶硅层连接到所述源电极，并将所述第二多晶硅层连接到所述栅电极。
6.一种CMP兼容分栅式场效应晶体管装置，包括：
分栅式结构，具有沟槽、栅电极和源电极；
设置在所述沟槽内的第一多晶硅层，连接到所述源电极；
设置在所述沟槽内的第二多晶硅层，连接到所述栅电极，
其中，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层是独立的；以及
设置在所述分栅式结构上的金属层。
7.如权利要求6所述的装置，进一步包括：
栅极接触点，其将所述第二多晶硅层连接到所述栅电极；以及
源极接触点，其将所述第一多晶硅层连接到所述源电极。
8.如权利要求7所述的装置，进一步包括：
有源区体；和
源极接触点，其中，所述有源区体和所述源极接触点被设置在所述沟槽的外面。
9.如权利要求8所述的装置，其中，所述同一表面平面是经由CMP兼容处理建立的。
10.如权利要求9所述的装置，其中，使用布局方法以使CMP兼容处理能够在所述沟槽内，将所述第一多晶硅层与所述源电极连接，并且将所述第二多晶硅层与所述栅电极连接。
11.一种平面式分栅式场效应晶体管装置，包括：
分栅式结构，具有沟槽、栅电极和源电极；
第一多晶硅层，设置在所述沟槽内，并连接到所述源电极；
第二多晶硅层，设置在所述沟槽内，并连接到所述栅电极，其中，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层是独立的，并且其中，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层基本上以其全部都被设置在所述沟槽内。
12.如权利要求11所述的装置，进一步包括：
栅极接触点，其将所述第二多晶硅层连接到所述栅电极；以及
源极接触点，其将所述第一多晶硅层连接到所述源电极。
13.如权利要求12所述的装置，进一步包括：
有源区体；以及
源极接触点，其中，所述有源区体和所述源极接触点被设置在同一表面平面。
14.如权利要求13所述的装置，其中，所述同一表面平面是经由CMP兼容处理建立的。
15.如权利要求14所述的装置，其中，使用布局方法以使得CMP兼容处理能够在所述沟槽内，将所述第一多晶硅层连接到所述源电极，并将所述第二多晶硅层连接到所述栅电极。
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