[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080046492.8 | 申请日： | 2010-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102576736A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;鱼地秀贵;中村康男;菅尾惇平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底之上的包含氮化硅的第一绝缘层；
所述第一绝缘层之上的包含Cu的第一导电层；
所述第一导电层之上的覆盖所述第一导电层的第二导电层；
所述第二导电层之上的包含氮化硅的第二绝缘层；
所述第二绝缘层之上的岛状半导体层；
所述岛状半导体层之上的用作源电极和漏电极的一对第三导电层；
所述第三导电层对之上的包含氮化硅的第三绝缘层；
第四导电层，通过设置在所述第三绝缘层中的开口电连接到所述第三导电层对中的一个；
第五导电层，包含Cu并且与所述第四导电层重叠；
第四绝缘层，包含氮化硅并且覆盖所述第五导电层；以及
第六导电层，通过设置在所述第三绝缘层和所述第四绝缘层中的开口电连接到所述第三导电层对中的另一个，
其中所述第一导电层和所述第五导电层没有与其中形成薄膜晶体管的沟道的所述岛状半导体层重叠。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层包含从W、Ta、Mo、Ti、Cr、Al、Zr和Ca中选取的至少一种元素。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电层包含具有比Cu更高的熔点的元素。
4.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述岛状半导体层使用非晶半导体、微晶半导体或者多晶半导体来形成。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第五导电层包含从W、Ta、Mo、Ti、Cr、Al、Zr和Ca中选取的至少一种元素。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层的上表面和下表面以及所述第五导电层的上表面和下表面覆盖有包含氮化硅的层。
7.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
在衬底之上形成包含氮化硅的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层之上形成包含Cu的第一导电层；
在所述第一导电层之上形成覆盖所述第一导电层的第二导电层；
所述第二导电层之上形成包含氮化硅的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层之上形成岛状半导体层；
在所述岛状半导体层之上形成用作源电极和漏电极的一对第三导电层；
在所述第三导电层对之上形成包含氮化硅的第三绝缘层；
形成第四导电层，使得所述第四导电层通过设置在所述第三绝缘层中的开口电连接到所述第三导电层对中的一个；
形成与所述第四导电层重叠的包含Cu的第五导电层；
形成覆盖所述第五导电层的包含氮化硅的第四绝缘层；以及
形成第六导电层，使得所述第六导电层通过设置在所述第三绝缘层和所述第四绝缘层中的开口电连接到所述第三导电层对中的另一个，
其中所述第一导电层和所述第五导电层没有与其中形成薄膜晶体管的沟道的所述岛状半导体层重叠。
8.如权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述第一导电层包含从W、Ta、Mo、Ti、Cr、Al、Zr和Ca中选取的至少一种元素。
9.如权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述第二导电层包含具有比Cu更高的熔点的元素。
10.如权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述岛状半导体层使用非晶半导体、微晶半导体或者多晶半导体来形成。
11.如权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述第五导电层包含从W、Ta、Mo、Ti、Cr、Al、Zr和Ca中选取的至少一种元素。
12.如权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述第一导电层的上表面和下表面以及所述第五导电层的上表面和下表面覆盖有包含氮化硅的层。
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