[发明专利]液晶显示装置及包括该液晶显示装置的电子设备在审
| 申请号： | 201080046493.2 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102576174A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 荒泽亮;宍户英明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 包括 电子设备 | ||
1.一种液晶显示装置，包括：
扫描线；
包括第一晶体管和第一像素电极的第一像素；以及
包括第二晶体管和第二像素电极的第二像素，
其中，所述第一像素与所述扫描线电连接，
其中所述第一晶体管包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层隔着栅极绝缘膜位于所述扫描线之上，
其中所述氧化物半导体层的宽度大于所述扫描线的宽度，并且
其中所述第二像素电极和所述氧化物半导体层彼此重叠。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中在所述第一晶体管的沟道宽度方向上，所述氧化物半导体层的宽度大于所述扫描线的宽度。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中在所述第一晶体管的沟道长度方向上，所述氧化物半导体层的宽度大于所述扫描线的宽度。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括氧化物绝缘层，
其中所述氧化物绝缘层位于至少部分所述氧化物半导体层之上并与其接触。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其中所述氧化物绝缘层包含磷或硼。
6.一种液晶显示装置，包括：
扫描线；
信号线；
包括第一晶体管和第一像素电极的第一像素；以及
包括第二晶体管和第二像素电极的第二像素，
其中，所述第一像素与所述扫描线和所述信号线电连接，
其中所述第一晶体管包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层隔着栅极绝缘膜位于所述扫描线之上，
其中所述氧化物半导体层的宽度大于所述扫描线的宽度，
其中所述信号线包括沿着所述扫描线的长度方向延伸且位于所述扫描线之上的部分，并且
其中所述第二像素电极和所述氧化物半导体层彼此重叠。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中在所述第一晶体管的沟道宽度方向上，所述氧化物半导体层的宽度大于所述扫描线的宽度。
8.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中在所述第一晶体管的沟道长度方向上，所述氧化物半导体层的宽度大于所述扫描线的宽度。
9.根据权利要求6所述的液晶显示装置，还包括氧化物绝缘层，其中所述氧化物绝缘层位于至少部分所述氧化物半导体层之上并与其接触。
10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其中所述氧化物绝缘层包含磷或硼。
11.根据权利要求6所述的液晶显示装置，
其中所述第一像素还包括绝缘层，并且
所述绝缘层位于所述栅极绝缘膜与所述信号线之间。
12.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其中所述氧化物半导体层的边缘部分被所述绝缘层覆盖。
13.一种液晶显示装置，包括：
扫描线；
信号线；
包括第一晶体管、第一布线和第一像素电极的第一像素；以及
包括第二晶体管和第二像素电极的第二像素，
其中，所述第一像素与所述扫描线和所述信号线电连接，
其中所述第一布线与所述第一像素电极电连接，
其中所述第一晶体管包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层隔着栅极绝缘膜位于所述扫描线之上，
其中所述氧化物半导体层的宽度大于所述扫描线的宽度，
其中所述信号线包括沿着所述扫描线的长度方向延伸且位于所述扫描线之上的部分，并且
其中所述第二像素电极和所述氧化物半导体层彼此重叠。
14.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其中在所述第一晶体管的沟道宽度方向上，所述氧化物半导体层的宽度大于所述扫描线的宽度。
15.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其中在所述第一晶体管的沟道长度方向上，所述氧化物半导体层的宽度大于所述扫描线的宽度。
16.根据权利要求13所述的液晶显示装置，还包括氧化物绝缘层，其中所述氧化物绝缘层位于至少部分所述氧化物半导体层之上并与其接触。
17.根据权利要求16所述的液晶显示装置，其中所述氧化物绝缘层包含磷或硼。
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