[发明专利]包括集成的背面反射器和芯片附接的发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

具有第一和第二相对的面的碳化硅衬底；

在所述第一面上并且包括其中的n-型层和p-型层的二极管区域；

欧姆性地接触所述p-型层并且与所述碳化硅衬底相对而在所述二极管区域上延伸的阳极触点；

欧姆性地接触所述n-型层并且也与所述碳化硅衬底相对而在所述二极管区域上延伸的阴极触点；

包括所述碳化硅衬底的所述第二面上的二氧化硅的层；以及

包括在所述包括二氧化硅的层上的铝的层，与所述碳化硅衬底相对。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，进一步包括：

包括在所述包括铝的层上的金的层，与所述包括二氧化硅的层相对。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中所述包括金的层包括：

包括在所述包括铝的层上的金-锡合金的第一层，与所述包括二氧化硅的层相对；以及

包括在所述包括金-锡合金的第一层上的元素金的第二层，与所述包括铝的层相对。

4.根据权利要求2所述的发光二极管，其中所述包括金的层包括：包括金-锡合金的层。

5.根据权利要求2所述的发光二极管，进一步包括：

在所述包括铝的层和所述包括金的层之间的包括铂的层。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，进一步包括：

在所述包括铂的层和所述包括铝的层之间的包括钛的层；以及

在所述包括铂的层和所述包括金的层之间的包括镍的层。

7.根据权利要求2所述的发光二极管，其中所述包括二氧化硅、铝和金的层全部是所述碳化硅衬底上的薄膜层，以为所述发光二极管提供集成的背面反射器和芯片附接。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其中所述包括二氧化硅、铝、金、铂、钛和镍的层全部是所述碳化硅衬底上的薄膜层，以为所述发光二极管提供集成的背面反射器和芯片附接。

9.一种发光二极管，包括：

具有第一和第二相对的面的碳化硅衬底；

所述第一面上的二极管区域；

与所述碳化硅衬底相对的在所述二极管区域上的阳极和阴极触点；以及

与所述二极管区域相对的在所述碳化硅衬底上的混合反射器，所述混合反射器包括具有低于所述碳化硅衬底的折射率的透明层和在所述透明层上与所述衬底相对的反射层。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，进一步包括：

在所述混合反射器上的芯片附接层，与所述碳化硅衬底相对。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，进一步包括：在所述混合反射器和所述芯片附接层之间的阻挡层。

12.根据权利要求10所述的发光二极管，其中所述透明层包括二氧化硅，所述反射层包括铝，所述芯片附接层包括金-锡合金，并且所述阻挡层包括铂。

13.根据权利要求9所述的发光二极管，其中所述透明层和所述反射层两者都是所述碳化硅衬底上的薄膜层，以为所述发光二极管提供集成的背面反射器。

14.根据权利要求11所述的发光二极管，其中所述透明层、所述反射层、所述芯片附接层和所述阻挡层全部是所述碳化硅衬底上的薄膜层，以为所述发光二极管提供集成的背面反射器和芯片附接。

15.根据权利要求9所述的发光二极管，其中所述碳化硅衬底具有大约2.75的折射率，并且所述透明层具有大约1.5的折射率。

16.一种发光二极管，包括：

具有第一和第二相对的面的碳化硅衬底；

所述第一面上的二极管区域；

与所述碳化硅衬底相对的在所述二极管区域上的阳极和阴极触点；以及

具有低于所述碳化硅衬底的折射率的透明层，所述透明层在所述碳化硅衬底上，与所述二极管区域相对。

17.根据权利要求16所述的发光二极管，进一步包括：

直接在所述透明层上的芯片附接层，与所述碳化硅衬底相对。

18.根据权利要求17所述的发光二极管，其中所述透明层包括二氧化硅，并且所述芯片附接层包括金-锡合金。