[发明专利]光响应层以及层组件

权利要求书

1.一种光响应层(20)，包括第一区域(21)，所述第一区域(21)包括第一材料，所述第一材料包括具有光响应部分的分子，其中当所述光响应部分暴露于光活化照射时，所述光响应层(20)的所述第一区域(21)能够进行可逆的几何改变。

2.根据权利要求1所述的光响应层，其中所述第一材料包括第一分子排列相。

3.根据权利要求1或2所述的光响应层，其中所述几何改变提供所述光响应层(20)的形貌改变。

4.根据前述权利要求中的任意一项所述的光响应层，其中当所述光响应部分未暴露于光活化照射时，所述第一区域(21)能够进行相反的几何改变。

5.根据前述权利要求中的任意一项所述的光响应层，其中所述第一材料是液晶聚合物材料。

6.根据前述权利要求中的任意一项所述的光响应层，其中所述第一分子排列相是向列相。

7.根据前述权利要求中的任意一项所述的光响应层，其中所述光响应部分是能够进行光异构化的部分。

8.根据前述权利要求中的任意一项所述的光响应层，进一步包括第二区域(22)，所述第二区域(22)包括当暴露于光活化照射时能够进行可逆的几何改变的第二材料。

9.根据权利要求8所述的光响应层，其中所述第二区域(22)包括具有不同于所述第一分子排列相的第二分子排列相的、包括具有光响应部分的分子的第二材料，其中当所述第二区域(22)的所述光响应部分暴露于光活化照射时，所述第二区域(22)能够进行几何改变，其中所述几何改变不同于所述第一区域(21)的几何改变。

10.根据权利要求8或9所述的光响应层，其中所述第二材料是液晶聚合物材料。

11.一种光响应层组件(40)，包括

-流体穿透层(42)，以及

-被布置接触于所述穿透层(42)的、根据权利要求1-10中的任意一项所述的光响应层(41)，

其中在光活化照射下，所述光响应层(41)能够进行形貌改变，所述形貌改变允许打开至少一个经过所述光响应层(41)和所述穿透层(42)的流体通路(45)，从而允许通过所述光响应层组件(40)的流体的流动或增加的流动。

12.一种控制根据权利要求11所述的光响应层组件(40)的方法，包括将所述光响应层暴露于光活化照射，以使得所述光响应层(41)进行响应于光活化照射的形貌改变，借此光响应层(41)从所述流体穿透层(42)的流体密闭布置或者低流动布置的状态，转变为所述流体穿透层(42)的流体穿透布置或者高流动布置的状态，所述流体穿透布置包括至少一个经过所述光响应层到所述穿透层的流体通路(45)，其中通过所述光响应层组件(40)的流动被允许或增加。

13.一种流体净化设备(10)，包括具有流体入口(12)和流体出口(13)的UV辐射腔(11)、以及布置于所述流体入口(12)或流体出口(13)中的流动控制设备(14)，其中所述流动控制设备(14)包括根据权利要求1-10中的任意一项所述的光响应层(20)或者根据权利要求11所述的光响应层组件(40)。

14.一种生产根据权利要求1-10中的任意一项所述的光响应层(41)的方法，包括

-提供衬底(51)，

-在所述衬底上施加复合物从而形成衬底上的层(52)，其中所述复合物包括响应于UV辐射并且能够形成分子排列相的单体、和/或响应于UV辐射的单体以及能够形成分子排列相的单体、和光引发剂，

-通过光聚合选择性地聚合所述层的第一区域(21)；

-通过加热、施加电场或外部磁场，重新布置所述第二区域(22)中的单体；以及

-通过光聚合，允许所述第二区域(22)聚合。

15.一种生产根据权利要求1-10中的任意一项所述的光响应层的方法，包括

-在衬底(62)上提供不连续层(61)；

-在未被所述不连续层覆盖的所述衬底的至少一个区上，施加包括光响应的单体和可选的光引发剂的复合物(63)，因而形成所述第一区域；以及

-可选地通过光聚合，聚合所述第一区域(21)的单体/允许所述第一区域(21)的单体聚合。