[发明专利]具有按频谱分组的纳米大小开关的RF功率放大器有效
申请号: | 201080046572.3 | 申请日: | 2010-10-04 |
公开(公告)号: | CN102577108A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | W·滕普尔;D·维格纳 | 申请(专利权)人: | 阿尔卡特朗讯 |
主分类号: | H03F3/191 | 分类号: | H03F3/191;H03F13/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 频谱 分组 纳米 大小 开关 rf 功率放大器 | ||
1.一种射频(=RF)功率放大器(20),包括:
-耦合阵列(1),其包括多个纳米大小的耦合元件(2;41;51),
其中,将所述耦合元件(2;41;51)分组成数目为N的子阵列(SA1...SAN),每个子阵列(SA1...SAN)展现它的耦合元件(2;41;51)的机械自振荡的
·特定谐振频率(f1...fN)和
·特定衰减,
其中,对于每个子阵列(SA1...SAN)的所述耦合元件(2;41;51),存在用于激励机械自振荡的激励装置,以及
-信号处理单元(22),用于使用激励脉冲来控制所述激励装置,所述激励脉冲具有由所述信号处理单元(22)基于要放大的RF信号的频谱分量的估计所计算的脉冲形状和定时,所述频谱分量即为在与所述特定谐振频率相对应的所述频率(f1...fN)处的幅度(c1...cN)和相位(Φ1...ΦN)。
2.根据权利要求1所述的RF功率放大器(20),包括数目为N的激励脉冲生成器(IG1...IGN),其中,每个激励脉冲生成器(IG1...IGN)控制子阵列(SA1...SAN)的所述激励装置,并且其中由所述信号处理单元(22)控制所述激励脉冲生成器(IG1...IGN)。
3.根据权利要求1所述的RF功率放大器(20),包括用于由所述信号处理单元(22)来分析所述耦合阵列(1)的RF输出信号的反馈环路(23)。
4.根据权利要求1所述的RF功率放大器(20),其特征在于,所述激励装置包括压电元件,特别是在耦合元件(2;41;51)或耦合元件(2;41;51)的一部分上的压电涂层(32)。
5.根据权利要求1所述的RF功率放大器(20),其特征在于,耦合元件(2)包括两个平行的、相对的并且部分重叠的簧片(3a,3b)。
6.根据权利要求5所述的RF功率放大器(20),其特征在于,所述两个簧片(3a,3b)被设计为即使在紧密耦合状态中也保持空间分离。
7.根据权利要求1所述的RF功率放大器(20),其特征在于,耦合元件(41)包括与耦合表面(43)相对布置的隔膜(42),其中在机械自振荡期间所述隔膜(42)与所述耦合表面(43)之间的距离改变。
8.根据权利要求1所述的RF功率放大器(20),其特征在于,耦合元件(51)包括:
-具有第一耦合表面(57)的扭转单元(52),所述第一耦合表面仅覆盖所述扭转单元的周长的一部分,以及
-至少部分地容纳所述扭转单元(52)的护套(53),其中,所述护套(53)包括第二耦合表面(58),所述第二耦合表面仅覆盖所述护套的内周长的一部分。
9.根据权利要求1所述的RF功率放大器(20),其特征在于,同一子阵列(SA1...SAN)中的所述耦合元件(2;41;51)具有相同的物理尺度和特性,从而以相同的机械谐振频率(f1...fN)为特征。
10.根据权利要求1所述的RF功率放大器(20)在电信系统中特别是在移动通信网络的基站中的使用。
11.根据权利要求1所述的RF功率放大器(20)在分段收发器架构中的使用。
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