[发明专利]单晶及其制造方法、以及光隔离器及使用其的光加工器有效
申请号: | 201080046622.8 | 申请日: | 2010-10-20 |
公开(公告)号: | CN102575382A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 真田和夫;岛村清史;比略拉·恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚 | 申请(专利权)人: | 株式会社藤仓;独立行政法人物质·材料研究机构 |
主分类号: | C30B29/28 | 分类号: | C30B29/28;G02B27/28 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 制造 方法 以及 隔离器 使用 加工 | ||
1.一种单晶,由铽铝石榴石单晶构成,主要是铝的一部分被镥即Lu取代。
2.如权利要求1所述的单晶,其由下述化学式表示:
(Tba-yLy)(Mb-xNx)Al3-zO12 (I)
上式中,L表示M或N,M表示选自Sc和Y中的至少1种,N含有Lu,a和b满足下式:
2.8≤a≤3.2
1.8≤b≤2.2。
3.如权利要求2所述的单晶,其中,所述化学式中的N为Lu。
4.如权利要求2所述的单晶,其中,所述化学式中的N进一步含有选自Yb和Tm中的至少1种。
5.如权利要求2或3所述的单晶,其中,所述化学式中的M为Sc,N为Lu,x满足下式:
0.01≤x≤0.6。
6.如权利要求5所述的单晶,其中,所述化学式中的y和z满足下式:
0≤y≤0.5
-0.5≤z≤0.5。
7.如权利要求6所述的单晶,其中,所述化学式中的y和z满足下式:
0≤y≤0.2
-0.2≤z≤0.2。
8.如权利要求6或7所述的单晶,其中,y为0。
9.一种隔离器用单晶的制造方法,其特征在于,将含有氧化铽、氧化铝及氧化镥的粉末原料加热溶解,由得到的熔液利用熔液生长法获得权利要求1所述的单晶。
10.一种光隔离器,具有权利要求1~8中任一项所述的单晶。
11.一种光加工器,具备:
激光光源,和
被配置于从所述激光光源射出的激光的光程上的光隔离器;
其中,所述光隔离器为权利要求10所述的光隔离器。
12.如权利要求11所述的光加工器,其中,所述激光光源的振荡波长为1064nm。
13.如权利要求11所述的光加工器,其中,所述激光光源的振荡波长为400~700nm。
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