[发明专利]光学信息记录媒体及其制造方法有效
申请号: | 201080046703.8 | 申请日: | 2010-09-27 |
公开(公告)号: | CN102576558A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 土生田晴比古;山田昇;阿部伸也;高桥克幸 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11B7/258 | 分类号: | G11B7/258;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/254;G11B7/257;G11B7/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 信息 记录 媒体 及其 制造 方法 | ||
1.一种信息记录媒体,是在基板上具有信息层、且所述信息层具有金属层的信息记录媒体,其特征在于,
(1)所述信息层具有在所述基板所形成的凹凸部,
(2)所述金属层含有Al、Si和M,并且M是从Cr和Ni构成的群中选择的至少1个元素,
通过对所述金属层照射激光束,使金属层的光学特性变化,能够形成追记标记,由此通过激光束的照射就能记录可再生的信息,
在所述金属层所包含的Al原子、Si原子和M原子的数量的合计设为100原子%时,Al原子的含有比例为20原子%以上94原子%以下,Si原子的含有比例为3原子%以上77原子%以下,M原子的含有比例为3原子%以上77原子%以下。
2.根据权利要求1所述的信息记录媒体,其中,
在金属层所包含的Al原子、Si原子和M原子的数量的合计设为100原子%时,Al原子的含有比例为60原子%以上94原子%以下,Si原子的含有比例为3原子%以上37原子%以下,M原子的含有比例为3原子%以上、37原子%以下。
3.根据权利要求1所述的信息记录媒体,其中,
在所述金属层所包含的Al原子、Si原子和M原子的数量的合计设为100原子%时,Al原子的含有比例为60原子%以上80原子%以下,Si原子的含有比例为3原子%以上12原子%以下,M原子的含有比例为10原子%以上37原子%以下。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的信息记录媒体,其中,
在构成所述金属层的原子的数量的合计设为100原子%时,在所述金属层所含有的Al原子、Si原子和M原子的数量的合计为80原子%以上。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的信息记录媒体,其中,所述金属层实质上由Al原子、Si原子和M原子构成。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的信息记录媒体,其特征在于,
在所述信息记录媒体的所述金属层上记录信息用的激光束的照射之前的反射率Ra和在所述金属层上记录信息用的激光束照射之后的反射率Rb,满足1.0<Rb/Ra<1.1。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的信息记录媒体,其中,
所述金属层的厚度为3nm以上100nm以下。
8.一种信息记录媒体,其特征在于,
含有在所述基板上所层叠的n层的信息层,且至少一个信息层是具有权利要求1~7中任一项所述的金属层的信息层,并且n为2以上的整数。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的信息记录媒体,其中,
能够在所述信息层的所述金属层上使信息经由波长为350nm以上500nm以下的激光束得以记录,并且能够使在所述信息层的所述金属层上所记录的信息经由波长为350nm以上500nm以下的激光束得以再生。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的信息记录媒体,其中,
在所述信息层的所述金属层上,信息仅可记录1次。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的信息记录媒体,其中,
所述信息记录媒体是所述凹凸部提供不可重写的主信息的再生专用的媒体,可以在所述金属层上追记副信息。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的信息记录媒体,其特征在于,
在所述金属层的单侧或两侧,设有以Al、Si及/或M的氧化物为主成分的层,并且M是从Cr和Ni构成的群中选择的至少1个元素。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的信息记录媒体,其特征在于,
在照射405nm的激光束时的反射率为30%以上。
14.根据权利要求1~13中任一项所述的信息记录媒体,其中,
记录灵敏度为5mW以下。
15.一种信息记录媒体的制造方法,是权利要求1~14中任一项所述的信息记录媒体的制造方法,其特征在于,
具有金属层的形成工序,在所述金属层的形成工序中,在基板上直接形成金属层、或在基板上形成其他层再在该其他层之上形成金属层,所述金属层的形成工序包括通过溅射法形成所述金属层的步骤,
所述金属层的形成工序中使用的溅射靶含有Al、Si和M,并且M是从Cr和Ni构成的群中选择的至少1个元素。
16.根据权利要求15所述的信息记录媒体的制造方法,其特征在于,
使通过溅射法在基板上所形成的金属层,在常温常压下与氧接触,由此在金属层的单侧或两侧形成氧化物,该氧化物以从Al、Si和M中选择的1个或多个的氧化物为主成分,并且M是从Cr和Ni构成的群中选择的至少1个元素。
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