[发明专利]半导体材料内不连续性的探测

权利要求书

1.一种探测半导体材料内不连续性的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

a.产生并引导光穿过所述材料；

b.采集所述材料的图像，其中所述图像包括从所述材料散射或透射出的光；以及

c.识别所述图像中的光强差从而探测所述不连续性。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述半导体材料大体上为平坦的。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述不连续性为裂纹或掺杂物。

4.根据上述权利要求任一所述的方法，其特征在于：所述光强差在所述图像的相对较黑暗背景中呈明亮的直线或曲线特征，或在所述图像的相对较明亮背景中呈黑暗的直线或曲线特征。

5.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述光强差为从所述材料散射或透射出的光的强度的突然增加或减少。

6.根据权利要求2-4任一所述的方法，其特征在于：步骤(b)包括采集两个或多个图像，其中所述光被产生和被引导从而穿过所述大体上的平坦的半导体材料在两个或多个方向上横向传播。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤(c)包括监测两个或多个图像之间的所述光强差的变化。

8.根据上述权利要求任一所述的方法，其特征在于：步骤(a)包括在一个或多个位置上将所述光耦合到所述材料中。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述光穿过所述材料具有纹理的表面被耦合到所述材料中。

10.根据权利要求1-7任一所述的方法，其特征在于：步骤(a)包括以超越带隙辐射在一个或多个位置上照射所述材料的表面，来产生作为光致发光的所述光。

11.根据权利要求8-10任一所述的方法，其特征在于：所述一个或多个位置大体上为直线形状，并且步骤(b)包括当所述材料与所述一个或多个线照相机发生相对移动时，用一个或多个线照相机采集所述材料的图像的步骤。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：所述一台或多台线照相机适用于捕捉来自与所述位置大体上平行的区域的光。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于：步骤(b)包括用一台或多台线照相机采集所述材料的图像，所述照相机适用于捕捉来自于每个所述位置的任意一边的区域的光。

14.根据权利要求1-7任一所述的方法，其特征在于：步骤(a)包括对所述材料施加正向偏压，来产生作为电致发光的所述光。

15.根据上述权利要求任一所述的方法，其特征在于进一步包括以下步骤：

(d)采集所述材料的光学图像；以及

(e)对所述光学图像与步骤(b)采集到的图像进行比较。

16.根据上述权利要求任一所述的方法，其特征在于进一步包括以下步骤：

(f)采集所述材料的光致发光图像；以及

(g)对所述光致发光图像与步骤(b)采集到的图像进行比较。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：在所述光致发光图像中所产生的光致发光的照射强度为100Suns或更高。

18.根据权利要求16或17所述的方法，其特征在于：当所述材料处于高温处理步骤之后的提升后的温度下时，所述光致发光图像被采集。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于：所述高温处理步骤选自于包括发射极扩散和金属接触燃烧的组。

20.根据上述权利要求任一所述的方法，其特征在于进一步包括以下步骤：(h)对于步骤(c)探测到的不连续性，计算一个或多个选自于包含长度、宽度、位置和形状的组的参数。

21.根据上述权利要求任一所述的方法，其特征在于：被应用于由所述半导体材料构成的薄膜、晶片或光伏电池。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于：被应用于由多晶硅或单晶硅构成的晶片或光伏电池。