[发明专利]用于硅光伏电池生产的光致发光成像系统

权利要求书

1.一种采集硅晶片光致发光图像的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：利用波长大于808nm的入射光来产生光致发光。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述入射光的波长大于910nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述入射光的波长大于980nm。

4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：在将所述入射光投射在所述硅晶片上以前，通过半导体材料对所述入射光进行过滤。

4a.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于：由半导体材料构成的滤波器被设于用于采集光致发光图像的成像装置前方。

5.根据权利要求4或4a所述的方法，其特征在于：所述半导体材料起着截止滤波器的作用。

6.根据上述权利要求任一所述的方法，其特征在于：通过铟镓砷成像装置采集所述光致发光图像。

7.根据上述权利要求任一所述的方法，其特征在于：通过MOSIR成像装置采集所述光致发光图像。

8.一种表面损坏的硅晶片光致发光成像的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

采用长波长激发来照射所述晶片，从而使得从晶片内部产生的光致发光多于从晶片表面损坏的部分产生的光致发光。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述长波长激发的波长大于808nm。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述长波长激发的波长大于910nm。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：所述长波长激发的波长大于980nm。

12.根据权利要求8-11任一所述的方法，其特征在于：截止波长大于激发波长的陡峭过渡长通滤波器被用于对晶片进行的成像中。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：所述长通滤波器包括半导体材料。

14.根据权利要求8-13任一所述的方法，其特征在于：还包括随后对晶片进行表面蚀刻的步骤。

15.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述光致发光的成像大体上发生在100毫秒内。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于：所述光致发光的成像大体上发生在10毫秒内。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：所述光致发光的成像大体上发生在1毫秒内。

18.一种分析硅材料的方法，所述方法包括对所述硅材料进行充足水平的光照射从而获得光致发光响应，和采用相机来捕捉光致发光响应形成图像，其特征在于：

i)所述光照射为高强度光照射，或所述光的波长大于808nm，以及

ii)采用相机对光致发光辐射光谱中所有或基本上所有的光致发光响应进行捕捉。

19.一种捕捉来自硅材料的光致发光响应的方法，其特征在于：包括采用MOSIR相机。

20.一种捕捉来自硅材料的光致发光响应的方法，其特征在于：所述半导体材料被位于信号频带内的激发光照射，其中，所述信号频带可被用于捕捉光致发光响应的相机探测到，长通滤波器被用于阻碍光照，和使激发信号从所述相机处偏离开。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于：所述滤波器为半导体滤波器。