[发明专利]笼状纳米结构及其制备

权利要求书

1.一种杂化的纳米结构，包括一种第一无机材料的一个内芯，所述内芯材料是处于一种多面体的形式，该多面体是由通过多个直棱彼此连接的多个面限定的，所述内芯材料实质上仅在其棱上具有一种第二无机材料的一种连续体，所述第一以及第二无机材料是不同的。

2.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述第一无机材料是处于一种晶体的形式。

3.根据权利要求1所述的杂化体，其中所述第一无机材料是或包含元素周期表d区的第IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB、IIB、IIIA、IVA和VA族的一种元素。

4.根据权利要求3所述的杂化体，其中所述元素是选自Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Tc、Ru、Mo、Rh、W、Au、Pt、Pd、Ag、Mn、Co、Cd、Hf、Ta、Re、Os、Ir和Hg。

5.根据权利要求1所述的杂化体，其中所述第二无机材料是或包含元素周期表d区的第IIIB、IVB、VB、VIB、VIIB、VIIIB、IB、IIB、IIIA、IVA和VA族的一种元素。

6.根据权利要求5所述的杂化材料，其中所述第二无机材料是或包含一种过渡金属，该过渡金属是选自Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Tc、Ru、Mo、Rh、W、Au、Pt、Pd、Ag、Mn、Co、Cd、Hf、Ta、Re、Os、Ir和Hg。

7.根据权利要求6所述的纳米结构，其中所述第二无机材料是或包含一种过渡金属，该过渡金属是选自Ru、Mo、Th和W。

8.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述第一无机材料是或包含一种半导体材料，该半导体材料是选自第II-VI族、第III-V族、第IV-VI族、第III-VI族、和/或第IV族半导体。

9.根据权利要求8所述的纳米结构，其中所述第一无机材料是或包含一种半导体材料，该半导体材料是选自CdSe、CdS、CdTe、ZnO、ZnSe、ZnS、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdZnSe、InAs、InP、InN、GaN、InSb、InAsP、InGaAs、GaAs、GaP、GaSb、AlP、AlN、AlAs、AlSb、CdSeTe、ZnCdSe、PbSe、PbTe、PbS、PbSnTe、Tl₂SnTe₅、RuS₂、RuO₂、MoS₂、MoO₃、RhS₂、RuO₄、TiO₂、WS₂和WO₂。

10.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述第二无机材料是或包含一种半导体材料，该半导体材料是选自第II-VI族、第III-V族、第IV-VI族、第III-VI族、和/或第IV族半导体。

11.根据权利要求10所述的纳米结构，其中所述第二无机材料是或包含一种半导体材料，该半导体材料是选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、ZnTe、ZnO、TiO₂、HgS、HgSe、HgTe、CdZnSe、InAs、InP、InN、GaN、InSb、InAsP、InGaAs、GaAs、GaP、GaSb、AlP、AlN、AlAs、AlSb、CdSeTe、ZnCdSe、PbSe、PbTe、PbS、PbSnTe、Tl₂SnTe₅、RuS₂、RuO₂、MoS₂、MoO₃、RhS₂、RuO₄、WS₂和WO₂。

12.根据权利要求1所述的杂化体，其中该第一无机材料是选自铜的硫化物。

13.根据权利要求12所述的杂化体，其中所述铜的硫化物是选自Cu₂S、CuInS₂、CuGaS₂、CuAlS₂、Cu₅FeS₄和CuFeS₂。