[发明专利]高纯度氟气、其生产和用途、以及用于监测氟气中杂质的方法

权利要求书

1.一种用于生产氟气的装置，该生产氟气的装置包括至少一个氟产生池、以及至少一个用于检测由该氟产生池得到的产物的组分的氟产生池检测器，其中所述氟产生池的至少一个与该氟产生池检测器相连。

2.根据权利要求1所述的装置，其中该氟产生池检测器用于检测由该氟产生池获得的氟中所存在的杂质。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中该氟产生池检测器包括：

(a)采样器，该采样器可操作为从由该氟产生池中所获得的产物中取出样品；

(b)涤气器，该涤气器用于销毁来自该样品的任何氟和HF并且产生任选包含杂质、特别是CF₄的气体流；

(c)用于检测从该涤气器中回收的气体流中所含杂质的装置，特别是GC检测器，例如火焰离子化检测器、热导检测器、TDL-光谱、或FTIR。

4.根据以上权利要求中任一项所述的装置，其中该氟产生池检测器用于检测由该氟产生池所获得的氟中存在的CF₄。

5.根据权利要求1所述的装置，其中该氟产生池检测器是UV分析仪。

6.根据权利要求5所述的装置，其中该UV分析仪利用在200至400nm范围内、优选在250至330nm范围内的UV光来运行。

7.根据以上权利要求中任一项所述的装置，包括两个或更多个氟产生池，其中每个氟产生池独立地与该氟产生池检测器相连。

8.根据以上权利要求中任一项所述的装置，进一步包括(a)用于独立地打开或关闭所述氟产生池的控制装置。

9.根据权利要求8所述的装置，其中该氟产生池检测器独立地与该控制装置分别相连。

10.一种用于生产氟气的方法，包括使用根据权利要求1至9中任一项所述的装置。

11.根据权利要求1-9中任一项所述的装置在半导体加工系统、在加工光电池的系统或加工TFT的系统中的用途。

12.根据权利要求1-9中任一项所述的装置用于清洁处理腔室的用途。

13.一种用于制造半导体、光电池或TFT的方法，其中(a)通过根据权利要求10所述的方法来生产氟，和(b)将所得的氟用于半导体加工系统中、用于加工光电池的系统中或用于加工TFT的系统中。

14.一种用于清洁处理腔室的方法，其中(a)通过根据权利要求10所述的方法来生产氟，和(b)使用所得的氟来清洁该处理腔室。

15.一种在用于制备氟气的方法中检测阳极燃烧的方法，该方法包括使用UV分析仪。