[发明专利]无定形二氧化硅及其制备方法有效
申请号: | 201080046924.5 | 申请日: | 2010-10-20 |
公开(公告)号: | CN102574692A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 入口治郎;山本泰裕;清水修二;小野勇二 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本触媒 |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 王浩然;周建秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无定形 二氧化硅 及其 制备 方法 | ||
1.一种无定形二氧化硅,其特征在于,Fe含量为20ppm以下。
2.根据权利要求1所述的无定形二氧化硅,其中,在30℃、90%RH下放置1天后的饱和吸湿量为1质量%以下。
3.根据权利要求1或2所述的无定形二氧化硅,其中,平均粒径为0.1μm以上2μm以下。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的无定形二氧化硅,其中,粒径的变动系数为10%以下。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的无定形二氧化硅,其中,平均球形比为1.0以上1.2以下。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的无定形二氧化硅,其中,粗粒子的含量为0.05质量%以下。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的无定形二氧化硅,其中,在红外线吸收光谱中,孤立硅烷醇基的峰的最大吸光度A1和来自吸附水的硅烷醇基的峰的最大吸光度A2的比A1/A2为小于1.0。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的无定形二氧化硅,其中,该无定形二氧化硅通过硅烷偶联剂进行表面处理。
9.根据权利要求1-8中任意一项所述的无定形二氧化硅,其中,该无定形二氧化硅用于密封材料。
10.根据权利要求1-8中任意一项所述的无定形二氧化硅,其中,该无定形二氧化硅用于底部填充剂。
11.一种底部填充剂,其特征在于,该底部填充剂含有权利要求10所述的无定形二氧化硅和树脂。
12.一种无定形二氧化硅的制备方法,该制备方法为制备权利要求1-7中任意一项所述的无定形二氧化硅的方法,其特征在于,
将硅醇盐的水解缩聚物的浆液干燥,并将干燥后的二氧化硅粒子在800℃以上1200℃以下煅烧。
13.根据权利要求12所述的无定形二氧化硅的制备方法,其中,所述浆液的干燥使用真空干燥装置进行,所述真空干燥装置的外部被加热的、并保持在减压下的加热管的一端连接于二氧化硅粒子浆液的供给部,另一端连接于保持在减压下的粉体收集室。
14.根据权利要求13所述的无定形二氧化硅的制备方法,其中,所述加热管由直管和弯头交替连接而构成。
15.根据权利要求14所述的无定形二氧化硅的制备方法,其中,构成所述加热管的直管为2根以上4根以下。
16.根据权利要求13-15中任意一项所述的无定形二氧化硅的制备方法,其中,所述加热管的内径为8mm以上。
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