[发明专利]有源矩阵基板、液晶面板、电视接收机无效
申请号: | 201080046989.X | 申请日: | 2010-10-21 |
公开(公告)号: | CN102576175A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 吉田秀史 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G09F9/30;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 液晶面板 电视接收机 | ||
技术领域
本发明涉及像素分割方式的有源矩阵基板、液晶面板。
背景技术
作为用于提高液晶显示装置的视野角特性的技术,已知在液晶面板的1个像素中设置2个像素电极(与亮副像素对应的亮像素电极和与暗副像素对应的暗像素电极)的像素分割方式。在像素分割方式中,存在以下电容耦合型:1晶体管电容耦合型,其使亮像素电极经由与本级的扫描信号线相连的晶体管而与数据信号线连接,使暗像素电极经由耦合电容与亮像素电极连接;3晶体管电容耦合型(例如,参照专利文献1),其使亮、暗像素电极各自经由与本级的扫描信号线相连的不同的晶体管而与数据信号线连接,并且使与亮像素电极形成耦合电容的电容电极经由与下级相连的晶体管而与暗像素电极连接。在1晶体管电容耦合型中,暗像素电极是电悬浮的,成为像素残影的原因,而在3晶体管电容耦合型中,明、暗像素电极各自不是电悬浮的,难以产生像素残影。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本公开专利公报“特开2008-33218号公报(公开日:2008年2月14日)”
发明内容
发明要解决的问题
但是,在现有的1晶体管或3晶体管电容耦合型液晶面板中,例如,如图22所示,使暗像素电极与和数据信号线形成在同一层的电容电极169a(源极金属)连接,使该电容电极169a与亮像素电极181隔着沟道保护膜(层间绝缘膜)17重叠,由此形成耦合电容。因此,为了确保耦合电容的值,需要使沟道保护膜按某程度变薄,存在无法采用增厚沟道保护膜(例如,使用有机绝缘膜)来使像素电极与数据信号线、扫描信号线重叠的高开口率结构的问题。另外,还存在以下问题:无法增厚沟道保护膜,因此,无法减小像素电极和数据信号线或扫描信号线之间的寄生电容,像素电极和数据信号线易于发生短路,无法提高像素电极(例如,ITO)形成面的平坦度。
在本发明中,提出了可以增厚沟道保护膜(层间绝缘膜)的电容耦合型有源矩阵基板。
用于解决问题的方案
本有源矩阵基板的特征在于,具备:扫描信号线;数据信号线;第1晶体管,其与该扫描信号线及数据信号线连接;第2晶体管,其与该扫描信号线及数据信号线连接;以及第3晶体管,其与不同于上述扫描信号线的扫描信号线连接,在1个像素区域(与1种颜色的像素对应的区域)中设有:第1像素电极,其与第1晶体管连接;第2像素电极,其与第2晶体管连接;第1电容电极,其与第1像素电极连接;第2电容电极,其经由第3晶体管与第2像素电极连接;以及中继电极,上述第1电容电极及第2电容电极与数据信号线形成在同一层,并且中继电极与各扫描信号线形成在同一层,该中继电极隔着栅极绝缘膜分别与第1电容电极及第2电容电极重叠。
根据上述构成,可以通过中继电极和第1电容电极之间的电容与中继电极及第2电容电极之间的电容的合成电容(串联连接各电容的电容)来形成3晶体管电容耦合型的亮、暗像素电极的耦合电容。因此,可以增厚晶体管的沟道保护膜(层间绝缘膜),可以采用使像素电极与数据信号线、扫描信号线重叠的高开口率结构。
也可以采用以下构成:在本有源矩阵基板中,具备与上述第2电容电极形成电容的保持电容配线。
也可以采用以下构成:在本有源矩阵基板中,在各晶体管的沟道上形成的层间绝缘膜中包含有机绝缘膜。
也可以采用以下构成:在本有源矩阵基板中,连接有第1晶体管及第2晶体管的扫描信号线与连接有第3晶体管的扫描信号线沿着扫描方向按照该顺序相邻配置。
也可以采用以下构成:在本有源矩阵基板中,上述第1像素电极及第2像素电极与数据信号线重叠。
也可以采用以下构成:在本有源矩阵基板中,上述数据信号线以与第1像素电极及第2像素电极的边缘部重叠的方式蜿蜒。
也可以采用以下构成:在本有源矩阵基板中,当将各扫描信号线的延伸方向设为横向时,在像素区域中,第1像素电极及第2像素电极纵向排列,从上述第1晶体管引出并与第1电容电极相连的引出电极、第1电容电极、从第3晶体管引出并与第2电容电极相连的引出电极以及第2电容电极以纵贯像素区域的方式配置。
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