[发明专利]精确波导接口有效

专利信息
申请号: 201080047037.X 申请日: 2010-08-19
公开(公告)号: CN102625962A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 迈克尔·格雷戈里·佩特斯;詹姆士·罗伯特·阿摩司·巴丁 申请(专利权)人: 伍比克公司
主分类号: H01P5/08 分类号: H01P5/08;H01P1/161
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 孟桂超;张颖玲
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 精确 波导 接口
【权利要求书】:

1.一种波导接口,包括:

包括印刷电路板的支撑块,所述支撑块沿平面取向;

耦合到所述电路板的通讯设备;

与所述通信设备相邻放置并且耦合到所述通信设备的发射转换器,所述发射转换器包括所述发射转换器的第一部分中的一条或多条传输线以及所述发射转换器的第二部分中耦合到所述一条或多条传输线的至少一个天线元件,其中所述至少一个天线元件被配置为辐射毫米波频率信号;

耦合到所述支撑块的一端并且与所述平面垂直取向的圆形接口板,所述接口平面具有矩形凹槽,所述矩形凹槽具有预定维度;及

耦合到所述接口板的波导组件,所述波导组件具有波导开口,其中所述发射转换器的第一部分位于所述矩形凹槽中,使得所述矩形凹槽防止来自所述传输线的能量朝所述印刷电路板或所述波导开口发射并且允许能量从所述至少一个天线元件向所述波导开口传递。

2.如权利要求1所述的接口,其中,所述印刷电路板包括被配置为发射并且/或者接收毫米波信号的半导体芯片。

3.如权利要求1所述的接口,其中,所述发射转换器还包括低损耗电介质材料,如具有诸如金的沉积金属化的石英或氧化铝,用于形成传输线和辐射天线元件。

4.如权利要求1所述的接口,其中,所述接口板紧靠标准波导法兰放置,使得所述接口板中的所述凹槽的狭窄维度与所述标准波导法兰的H场维度正交。

5.如权利要求1所述的接口,其中,所述发射转换器的所述第二部分位于所述波导开口中。

6.如权利要求1所述的接口,其中,所述发射转换器位于所述支撑块的相对的宽度边缘之间的中间。

7.如权利要求1所述的接口,其中,所述通信设备位于所述印刷电路板的凹壁中,使得所述发射转换器的所述第一部分在所述矩形凹槽中处于预定高度上。

8.如权利要求1所述的接口,其中,所述发射衬底转换器被配置为以所述波导轴的方向提供最大能量辐射。

9.一种形成精确波导接口的方法,包括:

选择包括印刷电路板的支撑块,所述支撑块沿平面取向;

将通信设备耦合到所述印刷电路板;

将发射转换器耦合到所述通信设备,其中所述发射转换器与所述通信设备相邻放置,所述发射转换器包括所述发射转换器的第一部分中的一条或多条传输线以及所述发射转换器的第二部分中的至少一个天线元件,其中所述至少一个天线元件被配置为辐射毫米波频率信号;

将圆形接口板耦合到所述支撑块的一端并且与所述平面垂直取向,所述接口平面具有矩形凹槽,所述矩形凹槽具有预定维度;并且

将波导组件耦合到所述接口板,所述波导组件具有波导开口,其中所述发射转换器的第一部分位于所述矩形凹槽中,使得所述矩形凹槽防止来自所述传输线的能量朝所述印刷电路板或所述波导开口发射并且允许能量从所述至少一个天线元件向所述波导开口传递。

10.如权利要求9所述的方法,其中,所述印刷电路板包括被配置为发射并且/或者接收毫米波信号的半导体芯片。

11.如权利要求9所述的方法,其中,所述发射转换器还包括低损耗电介质材料,如具有诸如金的沉积金属化的石英或氧化铝,用于形成传输线和辐射天线元件。

12.如权利要求9所述的方法,其中,所述接口板紧靠标准波导法兰放置,使得所述接口板中的所述凹槽的狭窄维度与所述标准波导法兰的H场维度正交。

13.如权利要求9所述的方法,其中,所述印刷电路板和发射转换器子组件被放置使得所述发射转换器辐射元件位于与所述波导段相邻的标准波导区域中。

14.如权利要求9所述的方法,其中,所述发射衬底转换器被配置为以所述波导轴的方向提供最大能量辐射。

15.如权利要求9所述的方法,其中,所述发射转换器的所述第二部分位于所述波导开口中。

16.如权利要求9所述的方法,其中,所述发射转换器位于所述支撑块的相对的宽度边缘之间的中间。

17.如权利要求9所述的方法,其中,所述通信设备位于所述印刷电路板的凹壁中,使得所述发射转换器的所述第一部分在所述矩形凹槽中处于预定高度上。

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