[发明专利]用于制造薄膜电池的方法与工厂有效

专利信息
申请号: 201080047312.8 申请日: 2010-09-20
公开(公告)号: CN102576899A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 秉-圣·郭;斯蒂芬·班格特;迪特尔·哈斯;奥姆卡拉姆·诺拉马苏 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01M10/04 分类号: H01M10/04;H01M10/0525
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 薄膜 电池 方法 工厂
【权利要求书】:

1.一种用于锂基薄膜电池制造的工厂布局,所述工厂布局包括:

第一处理工具,所述第一处理工具用以沉积金属或半导体层;

第二处理工具,所述第二处理工具用以沉积有源层;

第三处理工具,所述第三处理工具用以进行快速热处理;

第四处理工具,所述第四处理工具用以沉积介电层;

第五处理工具,所述第五处理工具用以执行反应性离子蚀刻;以及

第六处理工具,所述第六处理工具用以沉积薄膜电池的特制层。

2.如权利要求1所述的工厂布局,其中所述第六处理工具被配置为在相同处理工具中沉积锂或含锂层与保护涂层二者。

3.如权利要求2所述的工厂布局,其中所述锂层是锂阳极层,并且所述保护涂层是聚合物层。

4.如权利要求1所述的工厂布局,其中所述第一处理工具包括第一锂腔室,并且所述第二处理工具包括第二锂腔室。

5.如权利要求4所述的工厂布局,其中所述第六处理工具被配置为沉积聚合物层。

6.如权利要求5所述的工厂布局,进一步包括:

第七处理工具组,所述第七处理工具组配置为进行光刻暴露与光刻胶剥离操作;

第八处理工具组,所述第八处理工具组配置为进行蚀刻与清洗操作;以及

第九处理工具,所述第九处理工具配置为进行其上制造有薄膜电池的晶片或基板的激光划线。

7.如权利要求1所述的工厂布局,其中所述第二处理工具包括:

第一群集工具,所述第一群集工具用以沉积阴极层;

第二群集工具,所述第二群集工具用以沉积电解质层;以及

锂蒸镀工具,所述锂蒸镀工具包括一个或更多个手套箱,所述一个或更多个手套箱将所述锂蒸镀工具耦接至所述第一群集工具与所述第二群集工具。

8.一种用于锂基薄膜电池制造的工厂布局,所述工厂布局包括:

第一处理工具,所述第一处理工具用以沉积有源层,其中所述第一处理工具是在线处理工具;以及

第二处理工具,所述第二处理工具用以沉积金属或半导体层。

9.如权利要求8所述的工厂布局,其中所述第一处理工具包括多个锂沉积腔室。

10.如权利要求9所述的工厂布局,进一步包括:

第三处理工具,所述第三处理工具配置为进行快速热处理;

第四处理工具,所述第四处理工具配置为沉积聚合物层;

第五处理工具组,所述第五处理工具组配置为进行光刻暴露与光刻胶剥离操作;

第六处理工具组,所述第六处理工具组配置为进行蚀刻与清洗操作;以及

第七处理工具,所述第七处理工具配置为进行其上制造有薄膜电池的晶片的激光划线。

11.如权利要求8所述的工厂布局,其中所述第一处理工具被配置为沉积电解质与阳极层,并且其中所述第二处理工具是在线处理工具,所述工厂布局进一步包括:

第三处理工具,所述第三处理工具配置为沉积阴极层,其中所述第三处理工具是在线处理工具。

12.如权利要求11所述的工厂布局,其中所述第二处理工具包括多个锂沉积腔室,所述工厂布局进一步包括:

第四处理工具,所述第四处理工具配置为进行快速热处理;

第五处理工具,所述第五处理工具配置为沉积聚合物层;

第六处理工具,所述第六处理工具配置为进行光刻暴露与光刻胶剥离操作;

第七处理工具,所述第七处理工具配置为进行蚀刻与清洗操作;

第八处理工具,所述第八处理工具配置为进行激光烧蚀;以及

第九处理工具,所述第九处理工具配置为沉积介电层。

13.如权利要求8所述的工厂布局,其中所述第二处理工具包括配置为沉积锂或含锂层的腔室。

14.如权利要求8所述的工厂布局,其中所述第二处理工具是在线处理工具且直接耦接至所述第一处理工具,所述工厂布局进一步包括:

第三处理工具,所述第三处理工具用以沉积保护涂层,其中所述第三处理工具是在线处理工具。

15.如权利要求8所述的工厂布局,其中所述第一处理工具被配置为沉积阴极层,其中所述第二处理工具是在线处理工具且被配置为沉积接触层,所述工厂布局进一步包括:

第三处理工具,所述第三处理工具用以沉积电解质与锂或含锂层,其中所述第三处理工具是在线处理工具。

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