[发明专利]太阳电池中降低表面再结合与强化光捕捉无效

专利信息
申请号: 201080047452.5 申请日: 2010-10-27
公开(公告)号: CN102792453A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 迪帕克·瑞曼帕 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 太阳电池 降低 表面 结合 强化 捕捉
【权利要求书】:

1.一种提升太阳电池的效率的方法,包括:

将第一掺杂物质引入太阳电池的顶面中,以形成射极,所述第一掺杂物质具有第一导电类型;

将第二掺杂物质引入所述射极,所述第二物质具有与所述第一物质相反的导电类型;以及

对所述顶面施用表面钝化层,藉此使所述第二掺杂物质自所述射极偏析并进入所述表面钝化层中。

2.根据权利要求1所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述第一导电类型为n型,且所述第二掺杂物质是由下列所构成的族群中选出:B、Al、Ga、In或Tl。

3.根据权利要求1所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述表面钝化层包括氧化物。

4.根据权利要求1所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述两个引入步骤是依序地执行。

5.根据权利要求1所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述两个引入步骤是至少部分地同时执行。

6.一种提升太阳电池的效率的方法,包括:

将第一掺杂物质引入太阳电池的顶面中,以形成射极,所述第一掺杂物质具有第一导电类型;以及

对所述顶面施用表面钝化层,藉此将第二掺杂物质引入所述表面钝化层,以形成用于排斥所述射极中的少数载子的电场。

7.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述射极为n型,且所述第二物质是由下列所构成的族群中选出:Si、C、He、Ar、Ne、Kr、Xe及H。

8.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述射极为p型,且所述第二物质是由下列所构成的族群中选出:F、Cl、Br及N。

9.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述第二物质被植入所述表面钝化层中。

10.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述第二物质是在沉积制程期间被引入。

11.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述第二物质是由下列所构成的族群中选出:Na、Li、Ca、K、第1A族元素及第2A族元素。

12.一种提升太阳电池的效率的方法,包括:

将第一掺杂物质引入太阳电池的顶面中,以形成射极,所述第一掺杂物质具有第一导电类型;

对所述顶面施用表面钝化层;

对所述表面钝化层施用移动物质,藉此由所述移动物质形成用于排斥所述射极中的少数载子的电场。

13.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述射极为n型,且所述移动物质是由下列所构成的族群中选出:Na、Li、Ca、K、第1A族元素及第2A族元素。

14.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法,其中将所述移动物质喷涂于所述表面钝化表面上。

15.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法,其中将所述太阳电池浸于包含所述移动物质的溶液中。

16.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法,其中将所述移动物质沉积于所述表面钝化层上。

17.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法,其中藉由在所述第二移动物质的存在下对所述太阳电池进行退火来引入所述移动物质。

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