[发明专利]太阳电池中降低表面再结合与强化光捕捉无效
申请号: | 201080047452.5 | 申请日: | 2010-10-27 |
公开(公告)号: | CN102792453A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 迪帕克·瑞曼帕 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 降低 表面 结合 强化 捕捉 | ||
1.一种提升太阳电池的效率的方法,包括:
将第一掺杂物质引入太阳电池的顶面中,以形成射极,所述第一掺杂物质具有第一导电类型;
将第二掺杂物质引入所述射极,所述第二物质具有与所述第一物质相反的导电类型;以及
对所述顶面施用表面钝化层,藉此使所述第二掺杂物质自所述射极偏析并进入所述表面钝化层中。
2.根据权利要求1所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述第一导电类型为n型,且所述第二掺杂物质是由下列所构成的族群中选出:B、Al、Ga、In或Tl。
3.根据权利要求1所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述表面钝化层包括氧化物。
4.根据权利要求1所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述两个引入步骤是依序地执行。
5.根据权利要求1所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述两个引入步骤是至少部分地同时执行。
6.一种提升太阳电池的效率的方法,包括:
将第一掺杂物质引入太阳电池的顶面中,以形成射极,所述第一掺杂物质具有第一导电类型;以及
对所述顶面施用表面钝化层,藉此将第二掺杂物质引入所述表面钝化层,以形成用于排斥所述射极中的少数载子的电场。
7.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述射极为n型,且所述第二物质是由下列所构成的族群中选出:Si、C、He、Ar、Ne、Kr、Xe及H。
8.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述射极为p型,且所述第二物质是由下列所构成的族群中选出:F、Cl、Br及N。
9.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述第二物质被植入所述表面钝化层中。
10.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述第二物质是在沉积制程期间被引入。
11.根据权利要求6所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述第二物质是由下列所构成的族群中选出:Na、Li、Ca、K、第1A族元素及第2A族元素。
12.一种提升太阳电池的效率的方法,包括:
将第一掺杂物质引入太阳电池的顶面中,以形成射极,所述第一掺杂物质具有第一导电类型;
对所述顶面施用表面钝化层;
对所述表面钝化层施用移动物质,藉此由所述移动物质形成用于排斥所述射极中的少数载子的电场。
13.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法,其中所述射极为n型,且所述移动物质是由下列所构成的族群中选出:Na、Li、Ca、K、第1A族元素及第2A族元素。
14.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法,其中将所述移动物质喷涂于所述表面钝化表面上。
15.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法,其中将所述太阳电池浸于包含所述移动物质的溶液中。
16.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法,其中将所述移动物质沉积于所述表面钝化层上。
17.根据权利要求12所述的提升太阳电池的效率的方法,其中藉由在所述第二移动物质的存在下对所述太阳电池进行退火来引入所述移动物质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的