[发明专利]使用铜类纳米颗粒高浓度分散液的导体膜及其制造方法有效
申请号: | 201080047495.3 | 申请日: | 2010-10-04 |
公开(公告)号: | CN102576584A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 川崎三津夫;和田仁;杉本将之;梶田治 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人京都大学;福田金属箔粉工业株式会社 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/14;H05K1/09;H05K3/12 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 纳米 颗粒 浓度 分散 导体 及其 制造 方法 | ||
1.一种导体膜的制造方法,其特征在于,包括:
制备以Cu2O为主成分的铜类纳米颗粒的高浓度分散液的步骤Sa1;
在基材上涂布所述高浓度分散液并干燥,得到以Cu2O为主成分的涂膜的步骤Sa2;
在大气压中以200℃以下的温度对所述涂膜进行加热的步骤Sa3-1;和
在还原性气氛中以200℃以下的温度对所述涂膜进行加热的步骤Sa3-2。
2.一种导体膜的制造方法,其特征在于,包括:
制备以Cu2O为主成分的铜类纳米颗粒的高浓度分散液的步骤Sa1;
在基材上涂布所述高浓度分散液并干燥,得到以Cu2O为主成分的涂膜的步骤Sa2;
在大气压中以200℃以下的温度对所述涂膜进行加热的步骤Sa3-1;和
在还原性气氛中以250℃以下的温度对所述涂膜进行加热的步骤Sa3-2。
3.如权利要求1或2所述的导体膜的制造方法,其特征在于:
所述步骤Sa1中的铜类纳米颗粒中,0.2~2nm厚的表面层由Cu2O相、或Cu2O和CuO的混合相构成,并且0.2~2nm厚的表面层的内侧由Cu相、Cu和Cu2O的混合相、或Cu2O相中的任一种构成。
4.如权利要求1~3中任一项所述的导体膜的制造方法,其特征在于:在步骤Sa3-2之后,重复1次以上步骤Sa3-1的在大气压中进行加热的步骤和步骤Sa3-2的在还原性气氛下进行加热的步骤。
5.一种导体膜的制造方法,其特征在于,包括:
制备以Cu为主成分的铜类纳米颗粒的高浓度分散液的步骤Sb1;
在基材上涂布所述高浓度分散液并干燥,得到以Cu为主成分的涂膜的步骤Sa2;
在大气压中以200℃以下的温度对所述涂膜进行加热的步骤Sb3-1;和
在还原性气氛中以200℃以下的温度对所述涂膜进行加热的步骤Sb3-2。
6.一种导体膜的制造方法,其特征在于,包括:
制备以Cu为主成分的铜类纳米颗粒的高浓度分散液的步骤Sb1;
在基材上涂布所述高浓度分散液并干燥,得到以Cu为主成分的涂膜的步骤Sa2;
在大气压中以200℃以下的温度对所述涂膜进行加热的步骤Sb3-1;和
在还原性气氛中以250℃以下的温度对所述涂膜进行加热的步骤Sb3-2。
7.如权利要求5或6所述的导体膜的制造方法,其特征在于:
步骤Sb3-2之后,重复1次以上步骤Sb3-1的在大气压中进行加热的步骤和步骤Sb3-2的在还原性气氛下进行加热的步骤。
8.如权利要求1、2、5或6中任一项所述的导体膜的制造方法,其特征在于:
所述高浓度分散液实质上不含有用于抑制氧化或凝集的凝集抑制物质和氧化抑制物质。
9.如权利要求1或2所述的导体膜的制造方法,其特征在于:
制备所述高浓度分散液的步骤Sa1包括通过在分散溶剂的沸点以上的温度进行加热,或通过在分散溶剂的沸点以下的温度在减压下蒸馏除去该溶剂,进行高浓度化的工序,并且,在该加热工序中,通过
(i)利用含有氮或氩的不活泼气体进行鼓泡,或
(ii)利用还原性气体进行鼓泡
中的任一种方法,将内部的气氛保持为非氧化性气氛。
10.如权利要求1或2所述的导体膜的制造方法,其特征在于:
制备所述高浓度分散液的步骤Sa1包括在含有有机溶剂的分散溶剂中,使铜化合物分散,然后对分散溶剂中的铜化合物照射激光的工序。
11.如权利要求1、2、5或6中任一项所述的导体膜的制造方法,其特征在于:所述高浓度分散液的分散溶剂含有属于
(i)包括γ-丁内酯、二丙酮醇、环己酮的酮类、或
(ii)包括十四烷的高沸点烷烃
中的任一种的有机溶剂。
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