[发明专利]用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的金属微细结构体的制造方法

权利要求书

1.一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，其含有具有烃基且包含氧亚乙基结构的图案倒塌抑制剂，所述烃基包含可以一部分或全部被氟取代的烷基和烯基的任一种。

2.根据权利要求1所述的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，其中，所述图案倒塌抑制剂选自由烃基烷醇酰胺、聚氧亚乙基烃基胺和全氟烷基聚氧亚乙基乙醇组成的组中的一种以上。

3.根据权利要求2所述的处理液，其中，所述烃基烷醇酰胺以下述通式(1)表示，

式(1)中，R¹表示碳原子数2～24的烷基或烯基。

4.根据权利要求2所述的处理液，其中，所述聚氧亚乙基烃基胺以下述通式(2)表示，

式(2)中，R²表示碳原子数2～24的烷基或烯基，并且，n、m表示0～20的整数，n、m可以相同也可以不同，其中，m+n为1以上。

5.根据权利要求2所述的处理液，其中，所述全氟烷基聚氧亚乙基乙醇以下述通式(3)表示，

CF₃(CF₂)_n(CH₂CH₂O)_mCH₂CH₂OH    …(3)

式(3)中，n、m表示1～20的整数，n、m可以相同也可以不同。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的处理液，其还含有水。

7.根据权利要求2～6中任一项所述的处理液，其中，选自由所述烃基烷醇酰胺、聚氧亚乙基烃基胺、全氟烷基聚氧亚乙基乙醇组成的组中的1种以上物质的含量为10ppm～10％。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的处理液，其中，所述金属微细结构体的一部分或全部是使用选自氮化钛、钛、钌、氧化钌、氧化铝、氧化铪、硅酸铪、氮氧硅铪、铂、钽、氧化钽、氮化钽、硅化镍、镍硅锗及镍锗中的至少一种材料形成的。

9.一种金属微细结构体的制造方法，其特征在于，在湿式蚀刻或干式蚀刻之后的洗涤工序中使用权利要求1～8中任一项所述的处理液。

10.根据权利要求9所述的金属微细结构体的制造方法，其中，所述金属微细结构体的一部分或全部是使用选自氮化钛、钛、钌、氧化钌、氧化铝、氧化铪、硅酸铪、氮氧硅铪、铂、钽、氧化钽、氮化钽、硅化镍、镍硅锗及镍锗中的至少一种材料形成的。

11.根据权利要求9或10所述的金属微细结构体的制造方法，其中，所述金属微细结构体为半导体装置或微机械。