[发明专利]修复低-K介电质损坏的方法

权利要求书

1.用于修复具有有机化合物的硅基低-k介电层的损坏的方法，其中损坏使附着于硅的羟基替代附着于硅的甲基，所述方法包含：

提供包含甲烷气体的修复气体；

使所述修复气体形成等离子体，同时将压强维持50mTorr以下；

用来自于由所述修复气体所形成的等离子体中的甲基替代附着于硅的羟基。

2.根据权利要求1所述的方法，其中甲烷流量是所述修复气体中摩尔流量的至少5％。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述形成所述等离子体使用了0V至-100V的偏压。

4.根据权利要求3所述的方法，还包含提供频率至少为27MHz和功率在5至50瓦之间的射频功率。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述等离子体维持足以提供具有厚度不到的键合的烃层的时间。

6.根据权利要求5所述的方法，还包含：

在所述硅基低-k介电层上形成光刻胶掩膜；

通过所述光刻胶掩膜蚀刻所述硅基低-k介电层；和

在充入所述修复气体前，剥除所述光刻胶掩膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述硅基低-k介电层是纳米多孔超低-k介电层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包含保持所述衬底温度在60℃以下。

9.根据权利要求8所述的方法，其中甲烷流量是所述修复气体中摩尔流量的至少50％。

10.根据权利要求8所述的方法，其中修复气体基本由甲烷组成。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅基低-k介电层是纳米多孔超低-k介电层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述修复气体基本由甲烷组成。

13.在晶片上的具有有机化合物的硅基低-k介电层中形成特征的方法，包括：

将所述晶片放置在等离子体蚀刻室中；

将所述晶片夹持到衬底支撑物上；

将特征蚀刻到具有有机化合物的硅基低-k介电层中；

修复具有有机化合物的硅基低-k介电层的损坏，包含：

提供包含甲烷气体的修复气体；和

使所述修复气体形成等离子体，同时维持压强在50mTorr以下；和

用来自于由所述修复气体所形成的所述等离子体中的甲基替代附着于硅的羟基，以及

松开晶片，其中只有在修复损坏后才松开晶片。

14.根据权利要求13所述的方法，其中掩膜位于具有有机化合物的硅基低-k介电层之上，并且还包含剥除所述掩膜。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述蚀刻、修复和剥除是在所述等离子体蚀刻室中进行的。

16.根据权利要求14所述的方法，其中甲烷流量是所述修复气体中摩尔流量的至少5％。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述形成所述等离子体使用0V至-100V的偏压，还包含提供频率至少为27MHz和功率在5至50瓦之间的射频功率，并且其中所述等离子体维持足以提供具有厚度不到的键合的烃层的时间。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述修复气体基本由甲烷组成。

19.根据权利要求13所述的方法，其中所述修复气体基本由甲烷组成。