[发明专利]有机薄膜太阳能电池模块的制造方法无效
申请号: | 201080047621.5 | 申请日: | 2010-10-26 |
公开(公告)号: | CN102598335A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 清家崇广;大西敏博 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 薄膜 太阳能电池 模块 制造 方法 | ||
1.一种有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,是在基板上配置多个具备由第一电极及第二电极构成的一对电极、以及夹持于所述一对电极间的活性层的有机光电转换元件而成的有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,
包括:
在基板上形成多个第一电极的工序、以及
在多个第一电极各自的一部分上形成疏液性图案的工序。
2.一种有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,是在基板上配置多个具备由第一电极及第二电极构成的一对电极、以及夹持于所述一对电极间的活性层的有机光电转换元件而成的有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,
包括:
在基板上形成多个第一电极的工序、以及
在多个第一电极之外的基板上形成疏液性图案的工序。
3.根据权利要求1所述的有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中,
形成疏液性图案的工序包括:
在形成有多个第一电极的基板上整面地形成疏液性部的工序;
形成将形成有第一电极的基板上的一部分覆盖的掩模图案,以该掩模图案作为掩模对形成有第一电极的基板整面进行亲液性处理,除去该掩模图案而形成疏液性图案的工序。
4.一种有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,具备:
在基板上形成多个第一电极的工序;
在形成有第一电极的基板上整面地形成疏液性部的工序;
形成将形成有第一电极的基板上的一部分覆盖的掩模图案,以该掩模图案作为掩模对形成有第一电极的基板整面地进行亲液化处理,除去该掩模图案而形成疏液性图案的工序;
在形成有该疏液性图案的基板上整面地涂布被疏液性图案排斥的涂布液,形成具有露出疏液性图案的第一露出部的第一电荷传输层、将该第一电荷传输层上覆盖的活性层、将该活性层上覆盖的第二电荷传输层的工序;
贯穿第二电荷传输层、活性层及第一电荷传输层,形成将属于疏液性图案之外的第一电极的一部分露出的第二露出部的工序;
涂布涂布液而形成第二电极的工序,所述第二电极将第二电荷传输层上面覆盖,嵌入第二露出部,并且将疏液性图案设为非覆盖;以及
贯穿第二电极、第二电荷传输层及活性层,形成将疏液性图案之外的第一电荷传输层的一部分露出的第三露出部,由此将元件分离为多个有机光电转换元件的工序。
5.根据权利要求4所述的有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中,
形成疏液性图案的工序是如下的工序,即,通过利用基板中所含的材料和疏液性部中所含的材料的结合强度、与第一电极中所含的材料和疏液性部中所含的材料的结合强度的差别,通过对基板整面的亲液化处理,从第一电极的表面除去疏液性部,并且在基板的表面中的不形成第一电极的区域残存疏液性部中所含的材料,而形成疏液性图案。
6.根据权利要求1所述的有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中,
形成疏液性图案的工序是使用含有选自硅、铝及钛中的1种金属的偶联剂来形成疏液性图案的工序。
7.根据权利要求1所述的有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中,
形成疏液性图案的工序是使用含有硫醇化合物的材料来形成疏液性图案的工序。
8.根据权利要求1所述的有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中,
形成疏液性图案的工序是使用含有氟的材料来形成疏液性图案的工序。
9.根据权利要求8所述的有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中,
形成疏液性图案的工序是使用选自CF4、NF3、及CF4与甲醇的混合物中的1种以上,利用蒸气处理来形成疏液性图案的工序。
10.一种有机薄膜太阳能电池模块,其特征在于,是利用权利要求1所述的制造方法来制造的。
11.根据权利要求4所述的有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中,
形成疏液性图案的工序是使用含有选自硅、铝及钛中的1种金属的偶联剂来形成疏液性图案的工序。
12.根据权利要求4所述的有机薄膜太阳能电池模块的制造方法,其中,
形成疏液性图案的工序是使用含有硫醇化合物的材料来形成疏液性图案的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择