[发明专利]清洁硅基底的表面的方法

权利要求书

1.一种清洁硅基底的表面的方法，所述的表面被二氧化硅层覆盖；其特征在于，所述方法包含以下步骤：

a)在反应室中将所述表面暴露于由氟化气体产生的射频等离子体下，导致二氧化硅层的剥离，并且使氟化元素被吸附到硅基底的表面上，所述的暴露在60s到900s的范围的时间内进行，由等离子体产生的功率密度在10mW/cm²到350mW/cm²的范围内，在反应室中的氟化气体的压力为10mTorr到200mTorr，硅基底的温度为300℃或更低；以及

b)在所述反应室中将包括氟化元素的所述表面暴露于氢射频等离子体下，以从基底的表面消除氟化元素，所述暴露在5s到120s的范围的时间内进行，由等离子体产生的功率密度在10mW/cm²到350mW/cm²的范围内，反应室中氢的压力在10mTorr到1Torr，硅基底的温度为300℃或更低。

2.根据权利要求1所述的清洁硅基底的表面的方法，其特征，在于在步骤a)和步骤b)中，射频等离子体的功率是10W。

3.根据权利要求1或2所述的清洁硅基底的表面的方法，其特征，在于在步骤a)中，使用的氟化气体是SiF₄气体。

4.根据权利要求1到3中任一项所述的清洁硅基底的表面的方法，其特征在于，在步骤a)中，在反应室中SiF₄气体的压力是30mTorr。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的清洁硅基底的表面的方法，其特征在于，步骤a)进行380s的时间。

6.根据权利要求1到5中任一项所述的清洁硅基底的表面的方法，其特征在于，在步骤a)和步骤b)中，硅基底的温度是150℃。

7.根据权利要求1到6中任一项所述的清洁硅基底的表面的方法，其特征在于，步骤b)的时间是30s，在反应室中的氢压力是500m Torr。

8.根据权利要求1到7中任一项所述的清洁硅基底的表面的方法，其特征在于，反应室是等离子体增强化学气相沉积反应器的室。