[发明专利]多赫蒂放大器用合成器

权利要求书

1.一种多赫蒂放大器用合成器，其特征在于，其为连接于具有载波放大器(12)和峰值放大器(14)的多赫蒂放大器(16)的输出、对所述载波放大器(12)的输出和所述峰值放大器(14)的输出进行合成的多赫蒂放大器用合成器，该多赫蒂放大器用合成器包括：

所述载波放大器(12)的输出被输入的第1输入端子(26)；

所述峰值放大器(14)的输出被输入的第2输入端子(28)；

将所述载波放大器(12)的输出和所述峰值放大器(14)的输出合成后的信号予以输出的输出端子(30)；

所述载波放大器(12)的输出和所述峰值放大器(14)的输出的合成点(32)；

连接于所述第1输入端子(26)和所述合成点(32)之间的第1λ/4线路(34A)；

连接于所述合成点(32)和所述输出端子(30)之间的第2λ/4线路(34B)；

对从所述第1输入端子(26)流过所述合成点(32)的信号、从所述第2输入端子(28)流过所述合成点(32)的信号和从所述合成点(32)流过所述输出端子(30)的信号中的一个以上的信号进行监测的信号监测单元。

2.如权利要求1所述的多赫蒂放大器用合成器，其特征在于，

所述信号监测单元包括定向耦合器(40A或40B)，

所述定向耦合器(40A或40B)包括：

与所述第1λ/4线路(34A)和所述第2λ/4线路(34B)中的作为监测对象的λ/4线路电磁耦合的第3λ/4线路(34C)。

3.如权利要求2所述的多赫蒂放大器用合成器，其特征在于，

所述第3λ/4线路(34C)的一端连接有监测端子(36a或36b)，所述第3λ/4线路(34C)的另一端连接有终端电阻(Re)。

4.如权利要求3所述的多赫蒂放大器用合成器，其特征在于，

具有多个介电体层层叠构成的介电体基板(42)；

所述第1输入端子(26)、所述第2输入端子(28)、所述输出端子(30)和所述监测端子(36a或36b)形成于所述介电体基板(42)的表面，

所述第1λ/4线路(34A)、所述第2λ/4线路(34B)和所述第3λ/4线路(34C)形成于所述介电体基板(42)内。

5.如权利要求4所述的多赫蒂放大器用合成器，其特征在于，

具有：所述介电体基板(42)内形成的内层屏蔽电极(48)，该内层屏蔽电极(48)形成于所述第1λ/4线路(34A)和所述第2λ/4线路(34B)中作为所述监测对象的λ/4线路和所述第3λ/4线路(34C)，与所述第1λ/4线路(34A)和所述第2λ/4线路(34B)中的所述监测对象以外的λ/4线路之间。

6.如权利要求2所述的多赫蒂放大器用合成器，其特征在于，

进一步的，具有：连接于所述第3λ/4线路(34C)、用于将该第3λ/4线路(34C)的特性阻抗与所述监测对象的λ/4线路的特性阻抗匹配的第4λ/4线路(34D)。

7.如权利要求6所述的多赫蒂放大器用合成器，其特征在于，

所述监测对象的λ/4线路、所述第3λ/4线路(34C)和所述第4λ/4线路(34D)的各特性阻抗都相同。

8.如权利要求2～7中任一项所述的多赫蒂放大器用合成器，其特征在于，

所述第3λ/4线路(34C)与所述第2λ/4线路(34B)电磁耦合。

9.如权利要求2～7中任一项所述的多赫蒂放大器用合成器，其特征在于，

所述第3λ/4线路(34C)与所述第1λ/4线路(34A)电磁耦合。

10.如权利要求6所述的多赫蒂放大器用合成器，其特征在于，

所述第3λ/4线路(34C)的一端连接有所述第4λ/4线路(34D)的一端，所述第3λ/4线路(34C)的另一端连接有终端电阻(Re)，

所述第4λ/4线路(34D)的另一端连接有监测端子(36a或36b)。