[发明专利]包含利用预充电操作的传感器电路阵列的液晶装置无效
申请号: | 201080048044.1 | 申请日: | 2010-11-01 |
公开(公告)号: | CN102597939A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | C.J.布朗 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044;G06F3/041 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 利用 充电 操作 传感器 电路 阵列 液晶 装置 | ||
1.一种液晶装置,包括由多个第一传感器电路构成的第一阵列,每个第一传感器电路包括:放大器,连接在所述放大器的输入端和传感器电路预充电输入端之间的液晶感测电容器,以及连接在所述放大器输入端和传感器电路选择输入端之间的另外的电容器。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述感测电容器包含具有与相邻的液晶材料层协作的共面电极的平面电容器。
3.如权利要求2所述的装置,其中所述共面电极面对位于所述液晶材料层的相对侧的电极间隙。
4.如权利要求2所述的装置,其中所述共面电极面对位于所述液晶材料层的相对侧的电浮电极。
5.如权利要求2至4中任一项所述的装置,其中所述共面电极由配置成接收基本固定的电压的共面保护环围绕。
6.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述感测电容器具有响应于触摸事件而变化的电容。
7.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述预充电输入端配置成在第一预充电时期期间接收第一电压,并且在第二预充电时期期间接收具有比所述第一电压小的值的第二电压。
8.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述选择输入端配置成在禁用时期期间接收用于禁用所述第一传感器电路的第三电压,并且在启用时期期间接收用于启用所述第一传感器电路的具有比所述第三电压大的值的第四电压。
9.如权利要求8所述的装置,其中所述启用时期在所述第二预充电时期期间开始。
10.如权利要求9所述的装置,其中所述启用时期和所述第二预充电时期基本上同时结束。
11.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述放大器包括第一晶体管。
12.如权利要求11所述的装置,其中所述第一晶体管包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管。
13.如权利要求12所述的装置,其中所述第一晶体管被连接为源极跟随器。
14.如权利要求13所述的装置,其中所述第一阵列包括多行和多列的第一传感器电路,同时每列第一传感器电路的源极跟随器连接到公共源极负载。
15.如权利要求14所述的装置,其中每行的第一传感器电路的所述选择输入端被连接在一起。
16.如权利要求14或15所述的装置,其中每行的第一传感器电路的所述预充电输入端被连接在一起。
17.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中所述另外的电容器包括压敏电容器。
18.如权利要求17所述的装置,其中所述压敏电容器包括第二金属氧化物半导体场效应晶体管。
19.如权利要求18所述的装置,其中所述第二场效应晶体管的源极和漏极被连接在一起。
20.如前述权利要求中任一项所述的装置,其中每个第一传感器电路包括具有连接到所述放大器输入端的第一端子、并且被配置成当所述第一传感器电路被禁用时在所述放大器输入端提供预定电压的二极管。
21.如权利要求18所述的装置,其中所述第二场效应晶体管具有连接在所述放大器输入端和配置成在所述第一传感器电路被禁用时在所述放大器输入端提供预定电压的二极管的第一端子之间的源极-漏极通路。
22.如权利要求20或21所述的装置,其中所述二极管的第二端子被连接到所述预充电输入端。
23.如前述权利要求中任一项所述的装置,包括由多个液晶显示像素构成的第二阵列。
24.如权利要求23所述的装置,其中所述第一阵列和所述第二阵列通过公共有源矩阵寻址方式寻址。
25.如权利要求24所述的装置,其中所述寻址方式配置成在显示消隐周期期间寻址所述第一阵列。
26.如权利要求23至25中任一项所述的装置,其中所述第一传感器电路具有与连接到像素数据输入端的数据输入线相连的输出端。
27.如权利要求23至26中任一项所述的装置,其中每个第一传感器电路与由至少一个像素构成的群相关联。
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