[发明专利]超导线材用的带状基材及超导线材无效
申请号: | 201080048062.X | 申请日: | 2010-10-26 |
公开(公告)号: | CN102598155A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 奥野良和 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | H01B12/06 | 分类号: | H01B12/06;C01G1/00;C01G23/047;H01B13/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 超导 线材 带状 基材 | ||
1.一种超导线材用的带状基材,该带状基材的特征在于:在含有铁(Fe)、镍(Ni)以及铬(Cr)中的任意一种的基板上形成有由第4(4A)族元素的氧化物构成的扩散防止层。
2.根据权利要求1所述的超导线材用的带状基材,该带状基材的特征在于:所述扩散防止层的膜厚度是20nm或更大并且不超过70nm。
3.根据权利要求2所述的超导线材用的带状基材,该带状基材的特征在于:所述扩散防止层的膜厚度是20nm或更大并且不超过40nm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的超导线材用的带状基材,该带状基材的特征在于:所述第4(4A)族元素的氧化物是TiO2、ZrO2及HfO2中的任意一种。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的超导线材用的带状基材,该带状基材的特征在于:所述第4(4A)族元素的氧化物的平均晶粒尺寸大于50nm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的超导线材用的带状基材,该带状基材的特征在于:在所述扩散防止层上形成有由Y2O3形成的基础层。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的超导线材用的所述带状基材,该带状基材的特征在于:在所述扩散防止层上形成有配向层。
8.根据权利要求6所述的超导线材用的带状基材,该带状基材的特征在于:在所述基础层上形成有配向层。
9.根据权利要求7或8所述的超导线材用的带状基材,该带状基材的特征在于:在所述配向层上形成有覆盖层。
10.一种超导线材,该超导线材的特征在于:在根据权利要求7至9中任一项所述的超导线材用的带状基材上形成有氧化物超导层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于古河电气工业株式会社,未经古河电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080048062.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:馈线终端自动测试系统
- 下一篇:SiC 单晶晶片及其制造方法