[发明专利]太阳能电池及制造所述太阳能电池的方法

权利要求书

1.由第一导电型半导体基底制造太阳能电池的方法，所述半导体基底具有正面和背面，所述方法包括：

对所述正面纹理化以形成具纹理的正面以及对所述背面纹理化以形成具纹理的背面；

部分平滑处理所述具纹理的背面，以及任选部分平滑处理所述具纹理的正面；

通过第一导电型掺杂剂的扩散在所述背面中形成第一导电型背电场层；和

通过使第二导电型掺杂剂扩散到所述具纹理的正面中在该具纹理的正面上形成第二导电型层。

2.权利要求1的方法，其中对所述正面纹理化以形成具纹理的正面包括对所述背面纹理化以形成具纹理的背面。

3.前述权利要求之一的方法，其中对所述正面纹理化和对所述背面纹理化包括产生含有角锥形的正面和含有角锥形的背面。

4.权利要求3的方法，其中所述部分平滑处理包括加宽角锥形之间的中间凹部以提供宽度为50-2000nm的凹部。

5.权利要求3-4之一的方法，其中所述部分平滑处理包括修圆角锥形之间的中间凹部以提供具有半径为25-1000nm的弯曲部分的凹部。

6.权利要求1-5之一的方法，其还包括在一个或两个掺杂层上形成钝化层，所述钝化层为例如选自氮化硅、氧化硅、碳化硅和氧化铝及任选的其它材料。

7.权利要求7的方法，其中通过以下一种或多种技术形成所述钝化层：等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积、大气压化学气相沉积、溅射、原子层沉积、湿化学法氧化。

8.权利要求1-7之一的方法，所述方法包括：

对所述正面纹理化以形成具纹理的正面以及对所述背面纹理化以形成具纹理的背面；

部分平滑处理所述具纹理的背面，以及任选部分平滑处理所述具纹理的正面；

通过第一导电型掺杂剂的扩散在所述背面中形成第一导电型背电场层，在所述具纹理的正面中形成第一导电型掺杂层；

通过适用于保留所述具纹理的正面的纹理的蚀刻方法从所述具纹理的正面除去所述第一导电型掺杂层；和

通过使第二导电型掺杂剂扩散到所述具纹理的正面中在该具纹理的正面上形成第二导电型层。

9.权利要求8的方法，其包括，在所述第一导电型掺杂剂扩散过程中，在所述正面和背面上由第一导电型前体形成包含掺杂剂的玻璃状层，所述包含掺杂剂的玻璃状层用作所述半导体基底的掺杂剂来源。

10.权利要求9的方法，其包括，在从所述具纹理的正面除去所述第一导电型掺杂层之前，从所述正面和背面除去所述包含掺杂剂的玻璃状层。

11.权利要求9的方法，其包括，在单面蚀刻步骤中，从所述正面除去所述包含掺杂剂的玻璃状层，同时从所述具纹理的正面除去所述第一导电型掺杂层。

12.权利要求11的方法，其包括，在所述单面蚀刻步骤中从正面除去包含掺杂剂的玻璃状层并从具纹理的正面除去第一导电型掺杂层之后，从所述背面除去所述包含掺杂剂的玻璃状层。

13.权利要求9的方法，其包括在从所述具纹理的正面除去所述第一导电型掺杂层之前：

-从所述正面和背面除去所述包含掺杂剂的玻璃状层，和

-在所述背电场层上形成保护层。

14.权利要求11的方法，其包括：

-在所述具纹理的正面中形成第一导电型掺杂层和在所述背面中形成第一导电型背电场层之后：

-在所述背电场层上形成保护层，

然后在单面蚀刻步骤中从所述正面除去包含掺杂剂的玻璃状层同时从所述具纹理的正面除去第一导电型掺杂层。

15.权利要求14的方法，其包括：在单面蚀刻步骤中从所述正面除去包含掺杂剂的玻璃状层同时从所述具纹理的正面除去第一导电型掺杂层之后但在所述具纹理的正面上形成第二导电型层之前：

-从所述背面除去所述保护层和包含掺杂剂的玻璃状层。

16.权利要求13或15的方法，其中所述保护层包括含有至少一种选自氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(SiN_x)、电介质和抗蚀剂的材料的涂层。