[发明专利]Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶有效
| 申请号： | 201080048413.7 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102741450A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 田村友哉;高见英生;生泽正克;坂本胜;铃木了 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cu in ga se 合金 溅射 | ||
【权利要求书】：
1.一种Cu-In-Ga-Se溅射靶，为包含铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)和硒(Se)的四元合金溅射靶，其特征在于，其组成由组成式CuIn1-xGaxSe2-y(其中，x、y各自表示原子比率)表示，其组成范围为0＜x≤0.5，0≤y≤0.04，并且相对密度为90％以上。
2.如权利要求1所述的Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶，其特征在于，氧浓度为200重量ppm以下。
3.如权利要求1或2所述的Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶，其特征在于，体电阻为50～100Ωcm的范围。
4.如权利要求1至3中任一项所述的Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶，其特征在于，体电阻的偏差在靶面内为±5％以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的Cu-In-Ga-Se四元合金溅射靶，其特征在于，平均粒径为20～100μm。
6.如权利要求1至5中任一项所述的Cu-In-Ga-Se溅射靶，其特征在于，相对密度为98％以上。
7.如权利要求1至6中任一项所述的Cu-In-Ga-Se溅射靶，其特征在于，通过将作为起始原料的丸状或棒状的Cu、In、Ga和Se混合并进行合成，将该合成原料过筛进行粒度调节，然后将该合成粉末利用热压(HP)进行烧结来制造。
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