[发明专利]长期成膜时的稳定性优异的In-Ga-Zn-O系氧化物烧结体溅射靶

权利要求书

1.一种溅射靶，其特征在于，含有In、Zn、及Ga，

包含表面与内部的化合物的晶型实质上相同的氧化物烧结体。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体的表面的电阻率R1与距表面t/2mm的深部的电阻率R2之比R1/R2为0.4以上2.5以下，所述t是溅射靶的平均厚度。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体的In、Zn及Ga的原子组成比满足下述范围1～6中的任一个，

范围1

Ga/(In+Ga+Zn)≤0.50

0.58≤In/(In+Zn)≤0.85

In/(In+Ga)≤0.58

范围2

Ga/(In+Ga+Zn)≤0.50

0.20≤In/(In+Zn)＜0.58

In/(In+Ga)≤0.58

范围3

0.20＜Ga/(In+Ga+Zn)

0.51≤In/(In+Zn)≤0.85

0.58＜In/(In+Ga)

范围4

0.00＜Ga/(In+Ga+Zn)＜0.15

0.20≤In/(In+Zn)＜0.51

0.58＜In/(In+Ga)

范围5

0.00＜Ga/(In+Ga+Zn)≤0.20

0.51≤In/(In+Zn)≤0.85

范围6

0.15≤Ga/(In+Ga+Zn)

In/(In+Zn)＜0.51

0.58＜In/(In+Ga)。

4.根据权利要求3所述的溅射靶，其中，所述实质上相同的晶型仅由一种晶型构成。

5.根据权利要求4所述的溅射靶，其中，所述一种晶型是以In₂Ga₂ZnO₇表示的同系晶体结构，并且满足所述范围1的组成比。

6.根据权利要求4所述的溅射靶，其中，所述一种晶型是以InGaO₃(ZnO)表示的同系晶体结构，并且满足所述范围2或范围3的组成比。

7.根据权利要求4所述的溅射靶，其中，所述一种晶型是在2θ＝7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°及56.5°～59.5°具有Cukα射线的X射线衍射峰的晶体结构，并且满足所述范围4的组成比。

8.根据权利要求3所述的溅射靶，其中，所述实质上相同的晶型包含以ZnGa₂O₄表示的尖晶石晶体结构、和以In₂O₃表示的红绿柱石晶体结构，并且满足所述范围1或范围3的组成比。

9.根据权利要求3所述的溅射靶，其中，所述实质上相同的晶型包含在2θ＝7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°及56.5°～59.5°具有Cukα射线的X射线衍射峰的晶体结构、和以In₂O₃表示的红绿柱石晶体结构，并且满足所述范围5的组成比。

10.根据权利要求3所述的溅射靶，其中，所述实质上相同的晶型包含在2θ＝7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°及56.5°～59.5°具有Cukα射线的X射线衍射峰的晶体结构、和以InGaO₃(ZnO)表示的同系晶体结构，并且满足所述范围6的组成比。

11.一种权利要求4、5、6及8中任一项所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，包括下述(a)～(e)的工序：

(a)将原料化合物粉末混合而制备混合物的工序；

(b)将所述混合物成形而制备厚6.0mm以上的成形体的工序；

(c)将气氛以3℃/分钟以下的升温速度升温的工序；

(d)将所述升温了的成形体再在1280℃以上1520℃以下烧结2小时以上96小时以下，得到厚5.5mm以上的烧结体的工序；

(e)将所述烧结体的表面研削0.25mm以上的工序。