[发明专利]氧化物超导体用基材及其制造方法和氧化物超导体及其制造方法

权利要求书

1.一种氧化物超导体用基材，其特征在于，具备：

金属基板，

在该金属基板上采用离子束辅助沉积法即IBAD法而形成的MgO中间层，和

在该中间层上直接形成的、结晶取向度比所述中间层高的覆盖层；

其中，所述MgO中间层是在所述覆盖层形成前实施有加湿处理而形成的。

2.一种氧化物超导体用基材，其特征在于，具备：

金属基板，

在该金属基板上采用离子束辅助沉积法即IBAD法而形成的MgO中间层，和

在该中间层上直接形成的、结晶取向度比所述中间层高的覆盖层；

其中，在所述MgO中间层与所述覆盖层的界面存在Mg的氢氧化物。

3.根据权利要求2所述的氧化物超导体用基材，其特征在于，在所述MgO中间层与所述覆盖层的界面或MgO相互间的粒界存在Mg(OH)₂或MgCO₃。

4.根据权利要求1或2所述的氧化物超导体，其特征在于，氧化物床层介于所述金属基板与所述中间层之间。

5.根据权利要求1或2所述的氧化物超导体，其特征在于，所述覆盖层的作为表示面内结晶取向度的指标的面内方向结晶轴分散半值宽度Δφ的值以Δφ(220)计为7°以下，其中，半值宽度即FWHM：半值全宽。

6.根据权利要求1所述的氧化物超导体，其特征在于，所述加湿处理是在含有水分的环境中进行的处理。

7.根据权利要求1或2所述的氧化物超导体，其特征在于，所述覆盖层是CeO₂。

8.一种氧化物超导体用基材的制造方法，其特征在于，是制造具备金属基板，在该金属基板上采用离子束辅助沉积法即IBAD法而形成的MgO中间层，和在该中间层上直接形成的、结晶取向度比所述中间层高的覆盖层的氧化物超导体用基材的方法，具备：

在所述金属基板上形成所述MgO中间层而形成层叠体的工序，

对所述层叠体实施加湿处理的工序，和

在所述MgO中间层上直接形成覆盖层的工序。

9.根据权利要求8所述的氧化物超导体用基材的制造方法，其特征在于，所述加湿处理是在含有水分的环境中进行的。

10.根据权利要求8所述的氧化物超导体用基材的制造方法，其特征在于，在湿度60％～90％的环境中、在25℃～60℃的温度范围下进行10分钟以上的所述加湿处理。

11.根据权利要求8所述的氧化物超导体用基材的制造方法，其特征在于，所述覆盖层由CeO₂形成。

12.一种氧化物超导体，其特征在于，具有权利要求1或2所述的氧化物超导体用基材和在该氧化物超导体用基材上成膜的氧化物超导层。

13.一种氧化物超导体的制造方法，其特征在于，在权利要求8所述的氧化物超导体用基材上形成氧化物超导层。