[发明专利]SiC 单晶晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种SiC单晶晶片，其特征在于，该SiC单晶晶片在表面具有至少含有Si、C和O(氧)的非单晶结构的变质层，

所述变质层的厚度为50nm以下，并且，

SiC单晶部分中的氧含量为1.0×10¹⁷原子/cm³以下。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶晶片，其中，所述变质层的厚度为30nm以下，且SiC单晶部分中的氧含量为5×10¹⁶原子/cm³以下。

3.根据权利要求1或2所述的SiC单晶晶片，其中，所述变质层的厚度为10nm以下。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的SiC单晶晶片，其口径为50.8mm以上即2英寸以上。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的SiC单晶晶片，其中，SiC单晶部分中的多晶型为3C-SiC、4H-SiC或6H-SiC中的任一种。

6.一种SiC单晶晶片，其特征在于，其是用作SiC单晶外延膜生长基板的SiC单晶晶片，其在用于生长外延膜的面上在表面不具有非单晶结构的变质层，且氧含量为1.0×10¹⁷原子/cm³以下。

7.一种SiC单晶晶片，其特征在于，其是用作SiC单晶外延膜生长基板的SiC单晶晶片，其是通过从权利要求1～5的任一项所述的SiC单晶晶片去除用于生长外延膜的面的所述变质层而获得的。

8.一种SiC单晶外延晶片，其由权利要求6或7所述的SiC单晶晶片所形成的基板和在该晶片的去除了所述变质层的面上生长的外延膜构成。

9.一种半导体器件，其使用权利要求8所述的SiC单晶外延晶片制作。

10.一种SiC块状单晶的制造方法，其特征在于，所述SiC块状单晶是权利要求1～5的任一项所述的SiC单晶晶片的原材料，该方法包括：

通过使用SiC熔液的熔液生长法在晶种上生长SiC晶体，所述SiC熔液是将“Si”或由“SiC和M”构成的原料熔融、使C熔解在所得熔体中而获得的，其中M为除Si以外的一种以上的金属，

熔融前的所述原料中的氧含量为100ppm以下，并且，

晶体生长中的所述液相的周围气氛中的氧浓度为100ppm以下。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，熔融前的所述原料中的氧含量为1ppm以下。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其中，晶体生长中的所述液相的周围气氛中的氧浓度为1ppm以下。

13.一种SiC单晶外延膜生长基板用SiC单晶晶片的制造方法，其特征在于，通过原位蚀刻法从权利要求1～5的任一项所述的SiC单晶晶片去除所述变质层。