[发明专利]垂直整合的处理腔室有效
申请号: | 201080049075.9 | 申请日: | 2010-10-28 |
公开(公告)号: | CN102598240A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 唐纳德·J·K·奥尔加多 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 整合 处理 | ||
技术领域
在此描述的实施例涉及处理半导体基板的设备和方法。更具体来说,本文描述了对大体上呈垂直位向的半导体基板进行整合处理的设备与方法。
背景技术
在许多半导体器件的制造中经常处理大型基板。大型半导体基板最普遍的最终用途为光伏面板和大型显示器基板。这些基板在典型的处理中历经多个的处理步骤,包括材料沉积步骤、材料移除步骤、清洁步骤等。在大部分的这些步骤中,基板以大体上水平的位向被处理和传送,并且经常是一次处理一个基板。
以水平位向处理大型基板将需要大面积的设备以实现期望的产量。这种设备的制造和操作的费用高昂,因而提高了每个基板的单位成本。此外,一次处理一个基板也会提高成本。
随着市场对于大型半导体基板的需求的增长,仍旧需要可实现高性价比地制造与操作的大基板制造工艺。
发明内容
本发明描述了用于对大体上呈垂直位向的基板进行处理的方法和设备。基板安装在承载件上,所述承载件将基板移动至大体上垂直的处理腔室。基板在承载件上从系统中的个一腔室移动至另一个腔室,以对大体上呈垂直定向的基板进行处理。
描述了一种用于等离子体处理基板的腔室,所述腔室包含具有大体上垂直的主轴的封入件。天线结构置中地设置于封入件中,所述天线与大体上垂直的主轴平行定向并耦接至功率源。两个基板处理区域界定于封入件内。基板处理区域共享共同空间并由天线结构分开。
在另一个实施例中,还描述了一种处理基板的过程,所述过程包括在垂直等离子体处理腔室内同时等离子体处理两个大体上呈垂直位向的基板。在大体上垂直的等离子体处理腔室中产生单一等离子体场,并利用单一等离子体场同时处理两个基板。
在又一实施例中,描述了一种用于对大体上呈垂直定向的基板进行真空处理的系统。所述系统包括:大体上垂直的等离子体处理腔室,所述大体上垂直的等离子体处理腔室耦接至负载锁定腔室;承载件,用于在所述系统内传送大体上呈垂直定向的基板;以及装载器,用于在负载锁定腔室与承载件之间移动基板。
附图说明
可以更详细的方式理解本发明的上述特征,已在上文简要概括了本发明的内容,本发明更详细的描述可通过参考以下实施例获得,一些实施例在附图中图示。应注意,附图仅图示本发明的典型实施例,因此不应被看成限制本发明的范围,因为本发明包含其它的具有同等效果的实施例。
图1为朝向光或太阳辐射定向的多结太阳能电池的实施例的示意图。
图2为图1的多结太阳能电池进一步包括n型非晶硅缓冲层的示意图。
图3为图1的多结太阳能电池进一步包括p型微晶硅接触层的示意图。
图4A至图4B为具有置中天线结构的处理腔室的不同实施例剖面图。
图5为具有置中天线结构的处理腔室的另一个实施例的剖面图。
图6为具有垂直处理腔室的处理系统的三维视图。
图7为具有多个垂直基板处理腔室的处理系统的一个实施例的俯视示意图。
图8为具有多个垂直基板处理腔室的处理系统的另一个实施例的俯视示意图。
图9为具有垂直处理腔室的处理系统的三维视图。
图10A图示负载锁定腔室和具有一个真空机械臂的基板重新定向与定框腔室的实施例。
图10B图示负载锁定腔室和具有两个真空机械臂的基板重新定向与定框腔室的另一个实施例。
图11A图示机械臂固持基板的实施例。
图11B图示机械臂固持已从水平位向旋转到垂直位向的基板的实施例。
图11C图示机械臂将基板安装到框架上的实施例。
图12A图示两个单一基板框架的实施例。
图12B图示定位在滚轮上的双重基板框架的实施例。
图12C图示移动通过图9的处理系统的双重基板框架的实施例。
图13A为双重基板框架的一个实施例的示意截面图。
图13B为双重基板框架的另一个实施例的示意截面图。
图13C为双重基板框架的第三实施例的示意截面图。
图13D为具有形成双重基板框架的指状物的两个静电夹盘的示意截面图。
图13E为具有坐落于处理腔室中的双重基板框架的处理腔室的示意截面图。
图13F为具有双重基板框架的另一个实施例的处理腔室的示意截面图。
图13G和图13H为双重基板框架的其它实施例的示意截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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