[发明专利]用于相变存储器的双脉冲写入

权利要求书

1.一种方法，包括：

在第一步骤中从第一复位态至第二复位态对相变材料进行写入；

在第二步骤中从所述第二复位态至置位态对所述相变材料进行写入，所述第二步骤的电流低于所述第一步骤的电流；验证所述相变材料的参数，其中如果所述参数高于所述置位态的目标，则重复所述第一步骤中的所述写入、所述第二步骤中的所述写入以及所述验证，直到所述参数低于所述目标，其中，所述第一步骤的电流随着每次迭代降低一减量，但不变得低于所述第二步骤的电流。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一步骤包括具有短持续时间的脉冲。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二步骤包括一个或多个具有短持续时间和/或低振幅的脉冲。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一步骤和所述第二步骤具有陡上升沿和/或陡下降沿。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述参数是阈值电压。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述参数是电阻。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一复位态是所述相变材料的高复位态。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二复位态是所述相变材料的削弱复位态或低复位态。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，通过线性减量法来选择所述减量。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，通过二分查找法来选择所述减量。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，每次重复或迭代的所述减量是不同的。

12.一种方法，包括：

利用两个脉冲从复位态至置位态对相变材料进行写入，所述两个脉冲包括振幅总是高于第二脉冲的振幅的第一脉冲；

验证所述相变材料的参数变得低于所述置位态的预定目标，其中所述参数包括阈值电压或电阻，但是如果所述参数仍然高于所述预定目标，则降低所述第一脉冲的振幅并重复所述写入和所述验证。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一脉冲从高复位态至削弱复位态或低复位态对所述相变材料进行写入。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二脉冲从所述削弱复位态或低复位态至置位态对所述相变材料进行写入。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一脉冲具有短持续时间并且所述第二脉冲具有短持续时间和/或低振幅。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述降低振幅涉及随着每次重复或迭代振幅的改变逐渐减小。

17.一种器件，包括：

选择器件，所述选择器件与阵列中的字线或位线耦合；

加热器，所述加热器与所述选择器件串联连接；

存储单元，所述存储单元与所述加热器串联连接；以及

所述存储单元中的相变材料，其中，通过两步处理从复位态至置位态对所述相变材料进行写入，验证并重复所述两步处理直到实现目标参数，其中所述参数是电阻或阈值电压。

18.根据权利要求17所述的器件，其中，对于每次重复而言，所述第一脉冲的电流总是高于所述第二脉冲的电流。

19.根据权利要求17所述的器件，其中，所述选择器件与所述存储单元结合。

20.根据权利要求17所述的器件，其中，所述加热器与所述存储单元结合。