[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法

权利要求书

1.光电子器件(1)，具有：

-支承体本体(3)，具有

--连接区域(5)；

-设置在所述支承体本体(3)上的半导体芯片(7)；

-施加在所述半导体芯片(7)的背离所述支承体本体(3)的表面(8)上的接触区域(10)；

其中所述连接区域(5)与所述接触区域(10)经由无支承的传导结构(13)导电连接。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中所述传导结构(13)的背离所述半导体芯片(7)的脚部部段(13f)具有在所述连接区域(5)上的空间延伸，和/或，所述传导结构(13)的朝向所述半导体芯片(7)的头部部段(13k)具有在所述接触区域(10)上的空间延伸。

3.根据权利要求2所述的光电子器件，其中在所述脚部部段(13f)和所述头部部段(13k)之间的纵向(X)上的距离最多大约相应于所述半导体芯片的厚度(12)的五倍。

4.根据权利要求2或3所述的光电子器件，其中所述传导结构(13)在其脚部部段(13f)和其头部部段(13k)之间具有弯曲的形状。

5.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述传导结构(13)具有金属或者金属合金。

6.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述传导结构(13)在其整个延伸上具有大约均匀均匀的传导结构厚度(14)。

7.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述传导结构(13)在其整个延伸上具有大约均匀的传导结构宽度(17)并且其中所述传导结构(13)具有如下宽度(17)，所述宽度从大约20μm量级直至所述半导体芯片(7)在横向(Y)上的整个延伸。

8.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中所述支承体本体(3)具有连接层(6)，和/或，其中在所述连接层(6)和所述半导体芯片(7)之间设有接触面(9)。

9.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中在所述半导体芯片(7)的所述表面(8)上设有第二接触区域(10)，所述第二接触区域借助于第二传导结构(13)电连接到另一半导体芯片(7)的接触区域(10)或者电连接到连接区域(5)。

10.用于制造光电子器件(1)的方法，所述光电子器件具有

-支承体本体(3)，具有

--连接区域(5)；

-设置在所述支承体本体(3)上的半导体芯片(7)；

-施加在所述半导体芯片(7)的背离所述支承体本体(3)的表面(8)上的接触区域(10)；

所述方法具有下述方法步骤：

-将牺牲物质(16)施加到所述光电子器件(1)上；

-移除在所述接触区域(10)之上和在所述连接区域(5)之上的所述牺牲物质(16)；

-在所述接触区域(10)和所述连接区域(5)之间施加传导结构(13)；

-移除所述牺牲物质(16)，使得在所述接触区域(10)和所述连接区域(5)之间的所述传导结构(13)是无支承的。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在所述接触区域(10)和所述连接区域(5)之间的所述传导结构(13)的所述施加通过成面地施加金属化部(16)来实现。

12.根据权利要求11所述的方法，其中成面地施加所述金属化部结构化地通过如下方式来进行：

-丝网印刷，或

-喷射，或

-点胶，或

-喷涂。

13.根据权利要求11所述的方法，其中将成面地施加的所述金属化部结构化为使得将在所述接触区域(10)和所述连接区域(5)之间的所述传导结构(13)保留。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述将所述金属化部结构化具有下述方法步骤：

-光刻

-电镀增强

-移除光刻膜

-刻蚀掉种子层。

15.根据权利要求10至14之一所述的方法，其中所述移除所述牺牲物质(16)通过下述方法进行：

-剥离，或

-刻蚀，或

-等离子体灰化。