[发明专利]使用氢氟醚作为热传递流体的方法

权利要求书

1.一种需要热传递的装置，其包括：

器件；和

用于将热量传递至所述器件或将热量从所述器件传出的机构，所述机构包括使用热传递流体，

其中所述热传递流体包含由以下结构所表示的化合物：

Y-R_f-CH₂OCH₂R_f-Y

其中各R_f可相同或不同并且独立地选自具有1至10个碳原子的可为直链、环状或支链的全氟化亚烷基、具有1至10个碳原子的部分氟化亚烷基以及它们的其中一个或多个碳原子被链中的氮或氧杂原子替代的衍生物，其中各R_f包含至多一个氢原子，其中各Y可相同或不同且Y表示H、F或R_fCH₂OCH₂-基团，并且其中所述分子中的碳原子总数为至少6。

2.根据权利要求1所述的装置，其中至少一个R_f包含其上键合有一个氢原子和一个氟原子的仲碳原子。

3.根据权利要求1所述的装置，其中至少一个R_f包含3至约8个碳原子。

4.根据权利要求1所述的装置，其中至少一个R_f包含3至约5个碳原子。

5.根据权利要求1所述的装置，其中至少一个R_f包含至少3个氟原子。

6.根据权利要求5所述的装置，其中至少一个R_f包含至少4个氟原子。

7.根据权利要求6所述的装置，其中至少一个R_f包含至少6个氟原子。

8.根据权利要求1所述的装置，其中至少一个R_f包含具有1至10个碳原子的可为直链、环状或支链的全氟化亚烷基。

9.根据权利要求1所述的装置，其中至少一个R_f包含具有1至10个碳原子的部分氟化亚烷基。

10.根据权利要求1所述的装置，其中至少一个R_f包含全氟化亚烷基或部分氟化亚烷基的其中一个或多个碳原子被链中的氮或氧杂原子替代的衍生物，其中各R_f包含至多一个氢原子，

其中Y表示H、F或R_fCH₂OCH₂-基团，并且

其中所述分子中的碳原子总数为至少6。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述器件选自微处理器、用于制造半导体器件的晶片、功率控制半导体、配电开关设备、电力变压器、电路板、多芯片模块、封装和未封装的半导体器件、化学反应器、核反应堆、燃料电池、激光器和导弹元件。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述器件被加热。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述器件被冷却。

14.根据权利要求1所述的装置，其中所述器件保持在选定温度下。

15.根据权利要求1所述的装置，其中所述用于传递热量的机构选自PECVD工具中的温控晶片夹具、用于模具性能测试的温控测试头、半导体处理设备内的温控工作区、热冲击测试浴贮液器和恒温浴。

16.一种用于传递热量的方法，其包括：

提供器件；和

使用热传递流体将热量传递至所述器件或将热量从所述器件传出，

其中所述热传递流体包含由以下结构所表示的化合物：

Y-R_f-CH₂OCH₂R_f-Y

其中R_f可相同或不同并且独立地选自具有1至10个碳原子的可为直链、环状或支链的全氟化亚烷基；具有1至10个碳原子的部分氟化亚烷基；以及它们的其中一个或多个碳原子被链中的氮或氧杂原子替代的衍生物，其中各R_f包含至多一个氢原子，其中各Y可相同或不同，其中Y表示H、F或R_fCH₂OCH₂-基团，并且其中所述分子中的碳原子总数为至少6。