[发明专利]化学气相沉积涂层、制品和方法

权利要求书

1.一种热化学气相沉积涂层(101)，其包括二甲基硅烷的热分解。

2.权利要求1的涂层(101)，其中所述二甲基硅烷的热分解在层(102)中，所述层(102)包含第一部分(104)和第二部分(106)，所述第一部分和所述第二部分通过层(102)内的分子限定。

3.权利要求2的涂层(101)，其中所述第一部分(104)包含硅，所述第二部分(106)包含碳。

4.权利要求2的涂层(101)，其中所述层(102)包含Si-C键合的非晶阵列和多晶微观结构中的一种或多种。

5.权利要求1的涂层(101)，其中所述热分解在氧化的层(802)中，所述氧化的层(802)通过向涂层(101)的层(102)施用氧化试剂而形成。

6.权利要求1的涂层(101)，其中所述氧化的层(802)包含非晶羧基硅烷。

7.权利要求1的涂层(101)，其中所述热分解在官能化的层(110)中，所述官能化的层(110)通过氢化硅与不饱和烃的热反应而形成。

8.权利要求6的涂层(101)，其中所述官能化的层(110)包括与不饱和烃连接的R-基团，所述R-基团选自烃、取代的烃、羰基、羧基、酯、胺、酰胺、磺酸、有机金属络合物和环氧化物。

9.权利要求6的涂层(101)，其中所述官能化的层(110)包含官能化的非晶碳硅烷。

10.权利要求6的涂层(101)，其中所述官能化的层(110)包括杀生物官能团作用。

11.权利要求1的涂层(101)，其中所述热分解在官能化随后氧化的层(804)中，所述官能化随后氧化的层(804)通过向涂层(101)的官能化的层(110)施用氧化试剂而形成。

12.权利要求10的涂层(101)，其中所述官能化随后氧化的层(804)包含官能化的非晶羧基硅烷。

13.权利要求1的涂层(101)，其中所述涂层(102)通过化学气相沉积方法(200)而形成，所述方法(200)包括：

在化学气相沉积室中制备(202)基材(100)；和

在化学气相沉积室中热分解(204)二甲基硅烷。

14.一种热化学气相沉积方法(200)，所述方法(200)包括：

在化学气相沉积室中制备(202)基材(100)；

在化学气相沉积室中热分解(204)二甲基硅烷以形成涂层(102)。

15.权利要求14的方法(200)，其中引入到化学气相沉积室中的二甲基硅烷包括气态二甲基硅烷。

16.权利要求14的方法(200)，所述方法还包括通过引入结合剂使至少一部分涂层(102)官能化(206)，以形成官能化的层(110)。

17.权利要求16的方法(200)，其中通过使表面与由二甲基硅烷的热分解(204)提供的初始碳硅烷沉积剩余的氢化硅部分反应进行所述官能化(206)。

18.权利要求16的方法(200)，所述方法还包括通过施用氧化试剂来氧化(205)至少一部分官能化的层(110)。

19.权利要求14的方法(200)，所述方法还包括通过施用氧化试剂来氧化(205)至少一部分涂层(102)。

20.一种化学气相沉积制品(103)，所述制品(103)包括：

表面(105)；

层(102)，其通过在化学气相沉积室中二甲基硅烷的热分解而在制品(103)的表面(105)上形成；

其中所述层(102)包括由在层(102)上沉积的分子限定的第一部分(104)和第二部分(106)；

其中限定第一部分(104)和第二部分(106)的所述分子包括含H、C和Si的分子片段。