[发明专利]化学气相沉积涂层、制品和方法在审
申请号: | 201080049826.7 | 申请日: | 2010-10-26 |
公开(公告)号: | CN102741452A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | D·A·史密斯;J·B·马特泽拉;P·H·西尔维斯;G·A·贝伦 | 申请(专利权)人: | 西尔科特克公司 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/56;B05D7/24 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 林毅斌;李炳爱 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 沉积 涂层 制品 方法 | ||
1.一种热化学气相沉积涂层(101),其包括二甲基硅烷的热分解。
2.权利要求1的涂层(101),其中所述二甲基硅烷的热分解在层(102)中,所述层(102)包含第一部分(104)和第二部分(106),所述第一部分和所述第二部分通过层(102)内的分子限定。
3.权利要求2的涂层(101),其中所述第一部分(104)包含硅,所述第二部分(106)包含碳。
4.权利要求2的涂层(101),其中所述层(102)包含Si-C键合的非晶阵列和多晶微观结构中的一种或多种。
5.权利要求1的涂层(101),其中所述热分解在氧化的层(802)中,所述氧化的层(802)通过向涂层(101)的层(102)施用氧化试剂而形成。
6.权利要求1的涂层(101),其中所述氧化的层(802)包含非晶羧基硅烷。
7.权利要求1的涂层(101),其中所述热分解在官能化的层(110)中,所述官能化的层(110)通过氢化硅与不饱和烃的热反应而形成。
8.权利要求6的涂层(101),其中所述官能化的层(110)包括与不饱和烃连接的R-基团,所述R-基团选自烃、取代的烃、羰基、羧基、酯、胺、酰胺、磺酸、有机金属络合物和环氧化物。
9.权利要求6的涂层(101),其中所述官能化的层(110)包含官能化的非晶碳硅烷。
10.权利要求6的涂层(101),其中所述官能化的层(110)包括杀生物官能团作用。
11.权利要求1的涂层(101),其中所述热分解在官能化随后氧化的层(804)中,所述官能化随后氧化的层(804)通过向涂层(101)的官能化的层(110)施用氧化试剂而形成。
12.权利要求10的涂层(101),其中所述官能化随后氧化的层(804)包含官能化的非晶羧基硅烷。
13.权利要求1的涂层(101),其中所述涂层(102)通过化学气相沉积方法(200)而形成,所述方法(200)包括:
在化学气相沉积室中制备(202)基材(100);和
在化学气相沉积室中热分解(204)二甲基硅烷。
14.一种热化学气相沉积方法(200),所述方法(200)包括:
在化学气相沉积室中制备(202)基材(100);
在化学气相沉积室中热分解(204)二甲基硅烷以形成涂层(102)。
15.权利要求14的方法(200),其中引入到化学气相沉积室中的二甲基硅烷包括气态二甲基硅烷。
16.权利要求14的方法(200),所述方法还包括通过引入结合剂使至少一部分涂层(102)官能化(206),以形成官能化的层(110)。
17.权利要求16的方法(200),其中通过使表面与由二甲基硅烷的热分解(204)提供的初始碳硅烷沉积剩余的氢化硅部分反应进行所述官能化(206)。
18.权利要求16的方法(200),所述方法还包括通过施用氧化试剂来氧化(205)至少一部分官能化的层(110)。
19.权利要求14的方法(200),所述方法还包括通过施用氧化试剂来氧化(205)至少一部分涂层(102)。
20.一种化学气相沉积制品(103),所述制品(103)包括:
表面(105);
层(102),其通过在化学气相沉积室中二甲基硅烷的热分解而在制品(103)的表面(105)上形成;
其中所述层(102)包括由在层(102)上沉积的分子限定的第一部分(104)和第二部分(106);
其中限定第一部分(104)和第二部分(106)的所述分子包括含H、C和Si的分子片段。
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