[发明专利]获得与非极性和半极性P-型(Al，Ga，In)N低电阻接触的技术

权利要求书

1.制造(Al，Ga，In)N器件的方法，包括：

在(Al，Ga，In)N器件上生长p型层，其中所述(Al，Ga，In)N器件是非极性或半极性(Al，Ga，In)N器件，和所述p型层是非极性或半极性(Al，Ga，In)N层；和

在存在双(环戊二烯基)镁(Cp2Mg)的情况下，冷却所述p型层，以在所述p型层上形成镁-氮化物(Mg_xN_y)层。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述冷却步骤之后，进行金属沉积以在所述(Al，Ga，In)N器件的所述p型层上制造p型接触，其中与具有基本上相似组成的极性(Al，Ga，In)N器件的p型接触相比，所述p型接触具有更低的接触电阻率。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括在所述冷却步骤之后和在进行所述金属沉积之前，对所述p型层进行氯化氢(HCl)预处理，以在所述p型层上制造所述p型接触。

4.根据权利要求1所述的方法，其中进行所述冷却步骤直到达到至少700摄氏度的温度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中进行所述冷却步骤直到达到至少500摄氏度的温度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在氮气(N₂)和氨(NH₃)周围环境中进行所述冷却步骤。

7.根据权利要求1制造的(Al，Ga，In)N器件。

8.根据权利要求7所述的器件，其中所述(Al，Ga，In)N器件是发光二极管、激光二极管、p-n结器件、晶体管、双极结晶体管或异质结双极晶体管。

9.(Al，Ga，In)N器件，其包括：

在(Al，Ga，In)N器件的p型层上制造的p型接触，其中所述(Al，Ga，In)N器件是非极性或半极性(Al，Ga，In)N器件，所述p型层是非极性或半极性(Al，Ga，In)N层，且与具有基本上相似组成的极性(Al，Ga，In)N器件的p型接触相比，所述p型接触具有更低的接触电阻率。

10.根据权利要求9所述的器件，其中所述p型接触具有低于2×10^-3Ohm-cm^-2的接触电阻率。

11.根据权利要求9所述的器件，其中所述p型层具有足够低以获得低于2×10^-3Ohm-cm^-2的接触电阻率的氧浓度。

12.制造(Al，Ga，In)N器件的方法，包括：

在p型层上制造p型接触之前，对所述(Al，Ga，In)N器件的所述p型层进行氯化氢(HCl)预处理，其中所述(Al，Ga，In)N器件是非极性或半极性(Al，Ga，In)N器件，和所述p型层是非极性或半极性(Al，Ga，In)N层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中与具有相同组成的极性(Al，Ga，In)N器件的p型接触相比，所述p型接触具有更低的接触电阻率。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述p-型层具有足够低以获得低于2×10^-3Ohm-cm^-2的接触电阻率的氧浓度。

15.根据权利要求12制造的(Al，Ga，In)N器件。

16.根据权利要求15所述的器件，其中所述(Al，Ga，In)N器件是发光二极管、激光二极管、p-n结器件、晶体管、双极结晶体管或异质结双极晶体管。