[发明专利]利用位于一个或一个以上表面上的氧化锌纳米棒阵列的发光二极管结构和产生所述氧化锌纳米棒阵列的低成本方法无效
申请号: | 201080049857.2 | 申请日: | 2010-11-03 |
公开(公告)号: | CN102598271A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 弗雷德里克·F·兰格;雅各布·J·理查森;丹尼尔·B·汤普森;英格丽德·科斯洛;河俊硕;史蒂文·P·登巴尔斯;周司·中村 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚大学董事会 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 位于 一个 以上 表面上 氧化锌 纳米 阵列 发光二极管 结构 产生 低成本 方法 | ||
相关申请案交叉参考
本申请案在35U.S.C.§119(e)下主张下列共同待决且共同让与的美国临时专利申请案的优先权:
美国临时专利申请案第61/257,811号,标题为“利用位于一个或一个以上表面上的氧化锌纳米棒阵列的发光二极管结构和产生所述氧化锌纳米棒阵列的低成本方法(A LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE UTILIZING ZINC OXIDE NANOROD ARRAYS ON ONE OR MORE SURFACES,AND A LOW COST METHOD OF PRODUCING SUCH ZINC OXIDE NANOROD ARRAYS)”,在2009年11月3日由雅各J.理查森(Jacob J.Richardson)、丹尼尔B.汤普森(Daniel B.Thompson)、英格丽科斯洛(Ingrid Koslow)、河俊石(Jun Seok Ha)、弗雷德里克F.兰格(Frederick F.Lange)、史蒂文P.丹巴尔斯(Steven P.DenBaars)和中村修二(Shuji Nakamura)提出申请,代理档案号:30794.331-US-P1(2010-150);
美国临时申请案第61/257,812号,在2009年11月3日由丹尼尔B.汤普森、雅各J.理查森、英格丽科斯洛、河俊石、弗雷德里克F.兰格和史蒂文P.丹巴尔斯和中村修二提出申请,标题为“在多个表面上由在低温水性溶液中生长的氧化锌层覆盖的高亮度发光二极管(HIGH BRIGHTNESS LIGHT EMITTING DIODE COVERED BY ZINC OXIDE LAYERS ON MULTIPLE SURFACES GROWN IN LOW TEMPERATURE AQUEOUS SOLUTION)”,代理档案号:30794.332-US-P1(2010-183);和
美国临时申请案第61/257,814号,在2009年11月3日由丹尼尔B.汤普森、雅各J.理查森、史蒂文P.丹巴尔斯、弗雷德里克F.兰格和金真赫(Jin Hyeok Kim)提出申请,标题为“具有从低温水性溶液沉积的氧化锌电流扩散和光提取层的发光二极管(LIGHT EMITTING DIODES WITH ZINC OXIDE CURRENT SPREADING AND LIGHT EXTRACTION LAYERS DEPOSITED FROM LOW TEMPERATURE AQUEOUS SOLUTION)”,代理档案号:30794.333-US-P1(2010-149);
所述申请案以引用方式并入本文中。
本申请案涉及下列共同待决且共同让与的美国专利申请案:
美国实用型专利申请案第12/761,246号,在2010年4月15日由雅各J.理查森和弗雷德里克F.兰格提出申请,标题为“用于水性合成ZnO膜、纳米结构和块状单晶的低温连续循环反应器(LOW TEMPERATURE CONTINUOUS CIRCULATION REACTOR FOR THE AQUEOUS SYNTHESIS OF ZnO FILMS,NANOSTRUCTURES,AND BULK SINGLE CRYSTALS)”,代理档案号:30794.313-US-P1(2009-613-2),所述申请案在35U.S.C.§119(e)下主张共同待决且共同让与的美国临时专利申请案第61/169,633号(在2009年4月15日由雅各J.理查森和弗雷德里克F.兰格提出申请,标题为“用于水性合成ZnO膜、纳米结构和块状单晶的低温连续循环反应器”,代理档案号:30794.313-US-P1(2009-613-1))的优先权;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的