[发明专利]化合物半导体器件无效
| 申请号： | 201080050469.6 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102687293A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 足立真宽;德山慎司;片山浩二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 | ||
1.一种化合物半导体器件，其包含：
包含六方晶系化合物半导体且具有第一表面和在所述第一表面相反侧上的第二表面的化合物半导体层；
形成在所述化合物半导体层的所述第一表面上的第一电极；
具有在所述化合物半导体层的所述第二表面上的多个半导体层、且所述多个半导体层堆叠而成的层叠体；以及
形成在所述层叠体上的第二电极，
所述第一表面的阴离子型原子的数目大于所述第一表面的阳离子型原子的数目，
所述第一电极为n电极，
所述第一表面的氧浓度为5原子%以下，且
所述化合物半导体层包含III族氮化物半导体或SiC。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述n电极包含含有Al、Ti、In和Au元素中的至少一种元素的材料。
3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，其中所述第一表面的晶面指数(h、i、j、k)的第四指数k为负整数。
4.根据权利要求1~3中任一项的化合物半导体器件，其中所述第一表面为{20-2-1}面或{10-1-1}面。
5.一种化合物半导体器件，其包含：
包含六方晶系化合物半导体且具有第一表面和在所述第一表面相反侧上的第二表面的化合物半导体层；
形成在所述化合物半导体层的所述第一表面上的第一电极；
具有在所述化合物半导体层的所述第二表面上的多个半导体层、且所述多个半导体层堆叠而成的层叠体；和
形成在所述层叠体上的第二电极，
所述第一表面的阴离子型原子的数目小于所述第一表面的阳离子型原子的数目，
所述第一电极为p电极，
所述第一表面的氧浓度为5原子%以下，且
所述化合物半导体层包含III族氮化物半导体或SiC。
6.根据权利要求5所述的化合物半导体器件，其中所述p电极包含含有Pd、Pt、Ni、Au和W元素中的至少一种元素的材料。
7.根据权利要求5或6所述的化合物半导体器件，其中所述第一表面的晶面指数(h、i、j、k)的第四指数k为正整数。
8.根据权利要求5~7中任一项所述的化合物半导体器件，其中所述第一表面为{20-21}面或{10-11}面。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的化合物半导体器件，其中所述层叠体具有有源层。
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