[发明专利]蚀刻液组成物

说明书

技术领域

本发明涉及一种能够对由铟系金属膜、铝系金属膜、及钛系或钼系金属膜组成的三重膜进行蚀刻的蚀刻液组成物，该铟系金属膜、铝系金属膜、及钛系或钼系金属膜用作半导体装置及扁平面板表示装置特别是用作TFT或0LED等的栅极、源极/漏极阵列配线。

背景技术

在扁平面板表示装置中，在印刷电路板上形成金属配线的过程通常由通过溅射形成金属膜的工序、在金属膜上涂覆光致抗蚀剂，并使该光致抗蚀剂曝光及显影，以在挑选的范围内形成光致抗蚀剂的工序及对金属膜进行蚀刻的工序构成。另外，还含有个别的单位工序进行前或进行后进行的洗净工序等。这种蚀刻工序指的是将光致抗蚀剂作为掩膜使用，以在挑选的范围内留下金属膜的工序。对于蚀刻工序而言，通常使用的是运用等离子等的干蚀刻，或是运用蚀刻液的湿蚀刻。

一方面，在扁平面板表示装置中，作为像素电极，主要使用由铟系金属膜所组成的透明传导膜。另外，作为源/漏电极，主要使用铝系金属膜，也就是Al-La-X(从X＝Mg、Zn、In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、Mo、Pt及C中选择的金属)形态的铝镧系合金膜。另外，在源/漏电极的下部，为了粘接源/漏电极与绝缘膜，作为缓冲膜，主要使用含钛或钼的金属膜。

为了对这种扁平面板表示装置的像素电极、源/漏电极及缓冲膜进行蚀刻，一直以来，每个电极都必须使用不同的蚀刻液组成物。例如，在专利文献1中，公开了含有磷酸、硝酸、水溶性有机酸、蚀刻活性剂、蚀刻调节剂及水的蚀刻液组成物。但是，所述组成物虽然对由铝、镍及添加金属所组成的单一膜有效果，但是在多重膜上并不能发挥其蚀刻特性。

因此，需要开发一种能够对扁平面板表示装置的像素电极、源/漏电极及缓冲膜一并进行蚀刻的新的蚀刻液组成物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国专利公开第10-2006-0104926号说明书

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于：提供一种能够对在半导体装置及扁平面板表示装置上作为配线使用的含铟金属膜、含铝金属膜、尤其是铝镧镍合金膜及含钛或钼金属膜所组成的三重膜一并进行蚀刻的蚀刻液组成物。

本发明的另一目的在于：提供一种能够简化蚀刻工序、提高生产效率、且具有很好蚀刻特性的蚀刻液组成物。

本发明的再一目的在于：提供一种无需昂贵的装备、有利于大面积蚀刻、非常经济的蚀刻液组成物。

解决课题的方法

为了实现上述目的，本发明提供一种由铟系金属膜、铝系金属膜及钛系或钼系金属膜所组成的三重膜的蚀刻液组成物，其特征在于，对于该组成物的总重量，包含：铁化合物的重量占0.1％～10％、硝酸的重量占0.1％～10％、含氟化合物的重量占0.01％～5％其余的水的部分。

优选地，本发明提供一种由铟系金属膜、铝系金属膜及钛系或钼系金属膜所组成的三重膜的蚀刻液组成物，其特征在于，对于该组成物的总重量，包含：铁化合物的重量占1％～7％、硝酸的重量占2％～7％、含氟化合物的重量占0.1％～2％和其余的水的部分。

另外，本发明提供一种在上述组成物中还含有重量占0.1％～5％的磷酸盐化合物的三重膜的蚀刻液组成物。

发明的效果

由于本发明的蚀刻液组成物能够对由含铟金属膜、含铝合金膜及含钛或钼金属膜所组成的三重膜一并进行蚀刻，因此，能够简化蚀刻工序，且能够提高生产效率。另外，本发明中的蚀刻液组成物，其蚀刻速度快，且不会对下部膜及装备造成损伤，能够进行均匀的蚀刻，因此，具有很好的蚀刻特性。此外，本发明中的蚀刻液组成物，不需要昂贵的装备，有利于大面积蚀刻，非常经济。

具体实施方式

以下就本发明进行详细的说明。

本发明的蚀刻液组成物，含有铁化合物、硝酸、含氟化合物及水。

在本发明中，铁化合物起对铝系金属膜及钛系或钼系金属膜的表面进行氧化的作用。

对于组成物的总重量，所述铁化合物的含有量，优选地，占重量的0.1％～10％；更优选地，占重量的1％～7％。若未达到上述范围，则含铝金属膜的蚀刻速度会下降，因此产生残渣。另外，蚀刻特性不均匀会导致印刷电路板内产生斑点。若超过上述范围，则蚀刻速度过快可能会导致含铝金属膜和含钛或钼金属膜消失。