[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201080050571.6 | 申请日： | 2010-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102640279A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 盐野入丰;野田耕生 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/08;H01L27/088;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;朱海煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
电路，包含第一晶体管；以及
第二晶体管，配置成控制电源电压向所述电路的供应，
其中，所述第一晶体管的沟道形成区包含具有结晶性的硅，并且
所述第二晶体管的沟道形成区包含氧化物半导体。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述具有结晶性的硅是微晶硅、多晶硅或单晶硅。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述氧化物半导体包含铟、镓和锌。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述第一晶体管的所述沟道形成区形成于第一半导体膜中，
所述第二晶体管的所述沟道形成区形成于第二半导体膜中，并且
所述第一半导体膜和所述第二半导体膜形成于不同的绝缘表面上。
5.一种半导体器件，包括：
电路，包含第一晶体管；
第二晶体管，配置成控制电源电压向所述电路的供应；以及
控制电路，包含第三晶体管，并且配置成控制时钟信号向所述电路的供应，
其中，所述第一晶体管的沟道形成区包含具有结晶性的硅，并且
所述第二晶体管的沟道形成区和所述第三晶体管的沟道形成区的每个包含氧化物半导体。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，
所述具有结晶性的硅是微晶硅、多晶硅或单晶硅。
7.如权利要求5所述的半导体器件，其中，
所述氧化物半导体包含铟、镓和锌。
8.如权利要求5所述的半导体器件，其中，
所述第一晶体管的所述沟道形成区形成于第一半导体膜中，
所述第二晶体管的所述沟道形成区形成于第二半导体膜中，并且
所述第一半导体膜和所述第二半导体膜形成于不同的绝缘表面上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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