[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在含有硅半导体的衬底上的像素部分，所述像素部分包括：

掩埋于所述衬底中的光电转换元件部分；

电连接至所述光电转换元件部分的转移晶体管；

电连接至所述转移晶体管的信号电荷存储部分；

电连接至所述信号电荷存储部分的重置晶体管；

电连接至所述信号电荷存储部分的放大器晶体管；且

其中所述转移晶体管的沟道形成区和所述重置晶体管的沟道形成区包括氧化物半导体，且所述放大器晶体管的沟道形成区包括所述硅半导体。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述转移晶体管或所述重置晶体管被形成在所述放大器晶体管上。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述转移晶体管和所述重置晶体管的每一个的截止态电流是1×10^-13A或更少。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体中的载流子浓度为小于1×10¹⁴A/cm³。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述像素部分电连接至含有互补晶体管的外围电路部分，该互补晶体管在沟道形成区具有硅半导体。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，信号电荷存储部分包括绝缘层作为介电质。

7.一种包括如权利要求1所述的半导体器件的电子设备。