[发明专利]碳化硅粉末组合物及使用该碳化硅粉末组合物的碳化硅成形体的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种碳化硅粉末组合物及使用该碳化硅粉末组合物的碳化硅成形体的制造方法。

背景技术

碳化硅陶瓷在常温及高温下化学性质稳定，在高温下的机械强度也优异，因此被用作高温材料。近年来，在半导体制造领域中，包含耐热性、抗蠕变性优异的高纯度的碳化硅陶瓷烧结体的成形体开始被用于对半导体晶片进行热处理、或者将微量元素热扩散至半导体晶片中的步骤中的板(board)或加工处理管(process tube)等。如果这里所使用的碳化硅陶瓷成形体中含有对半导体有害的杂质元素，那么该杂质元素会从由该成形体制成的板或管渗入晶片而引起污染。因此，希望用在这种用途中的碳化硅陶瓷成形体尽可能为高纯度。

作为碳化硅成形体的制造方法，已知使用硼等烧结助剂的方法(专利文献1)、使以碳化硅及碳为主体的成型体接触熔融硅的方法(非专利文献1)、及使SiO气体穿透以碳化硅及碳为主体的成型体的方法(专利文献2)。

但是，使用硼等烧结助剂的方法中存在如下问题：由于所使用的烧结助剂的原因，所获得的碳化硅烧结体被硼等杂质元素污染，而难以用在半导体装置制造领域中。接触熔融硅的方法、及使SiO气体穿透成形体的方法中，因为要对所获得的成形体进行进一步处理，所以需要附加步骤，也需要用于该附加步骤的特别装置。

[背景技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本专利特开2000-247744号公报

专利文献2：日本专利特开2007-145665号公报

[非专利文献]

非专利文献1：“SiC系陶瓷新材料”日本学术振兴会高温陶瓷材料第124委员会编

发明内容

[发明所要解决的问题]

本发明的课题在于解决所述背景技术的问题，提供一种适合简便地制造高纯度碳化硅成形体的组合物及使用该组合物的高纯度碳化硅成形体的制造方法。

[解决问题的技术手段]

本发明者们为了解决所述课题而反复研究，结果提供下述发明作为解决所述课题的解决手段。

也就是，第一，本发明提供一种碳化硅粉末组合物，其含有使硅酮固化物在非氧化性环境中加热分解而获得的碳化硅粉末及有机粘合剂。

第二，本发明提供一种碳化硅成形体的制造方法，其包括如下步骤：

使所述碳化硅粉末组合物成形而获得碳化硅粉末成形体；

对该碳化硅粉末成形体进行脱脂处理；

接着，在非氧化性环境中对脱脂处理过的碳化硅粉末成形体进行煅烧处理。

第三，本发明提供一种碳化硅成形体，其是利用所述制造方法而获得的。

[发明的效果]

本发明的碳化硅粉末组合物无需含有烧结助剂，因此在该组合物的制备阶段可以高纯度化，且可以容易地制造包含高纯度碳化硅烧结体的成形体。

另外，因为碳化硅通常具有难烧结性，所以只能制作简单形状的烧结体，但根据本发明的碳化硅成形体的制造方法，即使是复杂形状的碳化硅成形体也可以容易地制造。

这些效果是由本发明中所使用的所述碳化硅粉末粒子的微细结构所带来的。下述比较例1、2中，因为使用市售的碳化硅粉末且未使用烧结助剂，所以无法进行烧结，但本发明的实施例中即使没有烧结助剂也可以进行烧结。

附图说明

无

具体实施方式

以下，详细地说明本发明。另外，在本说明书中，所谓“室温”是指周围温度，通常可以在10℃～35℃的范围内变化。

-碳化硅粉末组合物-

本发明的碳化硅粉末组合物含有特定的碳化硅粉末及有机粘合剂作为必需成分。

·碳化硅粉末：

本组合物中所使用的碳化硅粉末是对硅酮固化物进行煅烧而获得的碳化硅粉末。