[发明专利]包含无机粒子与聚合物粒子的化学机械抛光(CMP)组合物有效
| 申请号： | 201080050637.1 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102597142A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | M·劳特尔;V·I·莱曼;Y·李;S·S·文卡塔拉曼;D·K-H·沈 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘金辉;林柏楠 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 无机 粒子 聚合物 化学 机械抛光 cmp 组合 | ||
1.一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含：
(A)至少一种分散于液体介质(C)中的无机粒子，
(B)至少一种分散于液体介质(C)中的聚合物粒子，
(C)液体介质，
其中在所述液体介质(C)中的无机粒子(A)的ζ电位与在所述液体介质(C)中的聚合物粒子的ζ电位具有相同符号。
2.根据权利要求1的CMP组合物，其中所述无机粒子(A)的平均粒度与所述聚合物粒子(B)的平均粒度的比率在0.1至5.0范围内。
3.根据权利要求1或2的CMP组合物，其中聚合物粒子(B)与无机粒子(A)的重量比在0.001至0.2范围内。
4.根据上述权利要求中任一项的CMP组合物，其中所述聚合物粒子(B)具有至少一种为阳离子性或能在酸性水相中形成阳离子的官能基。
5.根据权利要求5的CMP组合物，其中所述聚合物粒子(B)具有至少一种为二烷基氨基或咪唑基的官能基。
6.根据上述权利要求中任一项的CMP组合物，其中在所述液体介质(C)中的无机粒子(A)的ζ电位与在所述液体介质(C)中的聚合物粒子的ζ电位为正。
7.根据上述权利要求中任一项的CMP组合物，其中所述无机粒子(A)为氧化铝、氧化铈、二氧化硅、二氧化钛或氧化锆或其混合物。
8.根据上述权利要求中任一项的CMP组合物，其中所述无机粒子(A)为氧化铈。
9.根据上述权利要求中任一项的CMP组合物，其中所述聚合物粒子(B)的浓度不超过所述CMP组合物的0.4重量%。
10.根据上述权利要求中任一项的CMP组合物，其中pH值在2.5至7.5范围内。
11.根据上述权利要求中任一项的CMP组合物，其包含：(A)氧化铈粒子，
(B)包含至少一种二烷基氨基或咪唑基的聚合物粒子，
(C)水，
其中(A)的平均粒度与(B)的平均粒度的比率在0.1至5.0范围内，(B)与(A)的重量比在0.001至0.2范围内，且pH值在2.5至7.5范围内。
12.一种制备CMP组合物的方法，其包括：
将至少一种无机粒子(A)及至少一种聚合物粒子(B)分散于液体介质(C)中，其中在所述液体介质(C)中的无机粒子(A)的ζ电位与在所述液体介质(C)中的聚合物粒子的ζ电位具有相同符号。
13.一种制造半导体装置的方法，其包括在根据权利要求1-11中任一项的CMP组合物存在下介电基材表面的化学机械抛光。
14.根据权利要求1-11中任一项的CMP组合物及根据权利要求12或13的方法的用途，其用于半导体工业中所用基材表面的化学机械抛光。
15.根据权利要求1-11中任一项的CMP组合物及根据权利要求12或13的方法的用途，其用于为浅沟槽隔离(STI)装置的基材表面的化学机械抛光。
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