[发明专利]用于生产TFT基质的蚀刻方法

权利要求书

1.一种用于制造TFT基质的方法，包括其中用气体蚀刻剂蚀刻包括氮化硅或a-Si的层的至少一个步骤，其中该蚀刻剂包括碳酰氟(COF₂)、F₂或它们的混合物。

2.如权利要求1所述的方法，其中该蚀刻剂包括碳酰氟或由碳酰氟组成。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中该蚀刻步骤是等离子体辅助的。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该层由氮化硅组成。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中使用碳酰氟或它与选自氮气、氩气、N₂O以及氧气中的至少一种气体的混合物作为蚀刻气体。

6.如权利要求5所述的方法，其中应用包括碳酰氟、氧气和氩气或由碳酰氟、氧气和氩气组成的混合物作为蚀刻气体。

7.如权利要求6所述的方法，其中应用包括碳酰氟、N₂O和氩气或由碳酰氟、N₂O和氩气组成的混合物作为蚀刻气体。

8.如权利要求5至7中任一项所述的方法，但是排除通过提供400sccm的碳酰氟流、50sccm的氮氧化物流、以及氩气流而获得的混合物，并且优选地排除具有1毫巴压力的通过提供400sccm碳酰氟流、50sccm的氮氧化物流以及氩气流而获得的混合物。

9.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中使用氟或它与选自氮气、氩气、氧气以及N₂O中的至少一种气体的混合物作为蚀刻气体。

10.如权利要求9所述的方法，其中使用包括氟与选自氮气和氩气中的至少一种气体或由氟与选自氮气和氩气中的至少一种气体组成的混合物，并且其中该混合物中的氟含量为从50vol％至70vol％，优选约60vol％。

11.如权利要求9所述的方法，其中使用包括氟与选自氧气和N₂O中的至少一种气体或由氟与选自氧气和N₂O中的至少一种气体组成的混合物，并且其中该混合物中的氟含量为从50vol％至70vol％，优选约60vol％。

12.如权利要求1至11中任一项所述的方法，其中包括碳酰氟(COF₂)、F₂或它们的混合物的蚀刻剂用作SF₆替代物或NF₃替代物。

13.如权利要求1至9中任一项所述的方法，其中COF₂或F₂的含量等于或大于按体积计15％低于按体积计50％，并且其中选择性地蚀刻涂覆在a-硅上的氮化硅。

15.如权利要求14所述的方法，其中在该蚀刻过程的初始阶段中F₂或COF₂的浓度高于在最终阶段中的浓度。

16.一种包括碳酰氟或氟和N₂O或由碳酰氟或氟和N₂O组成的混合物，其中碳酰氟或氟的含量优选是等于或大于按体积计50％。

17.如权利要求16所述的混合物，进一步包括惰性气体，优选氩气，其中惰性气体的含量为按体积计0至20％，并且N₂O补足至按体积计100％。

18.如权利要求16或17所述的混合物，进一步包括氧气，其中氧气的含量为按体积计＞0至20％，并且N₂O补足至按体积计100％。

19.一种包括碳酰氟或氟和N₂O或由碳酰氟或氟和N₂O组成的混合物，其中碳酰氟或氟的含量优选等于或大于按体积计15％并且小于按体积计50％。

20.如权利要求19所述的混合物，还包括惰性气体，优选氩气，其中惰性气体的含量为按体积计0至20％，并且N₂O补足至按体积计100％。

21.如权利要求19或20所述的混合物，还包括氧气，其中氧气的含量为按体积计＞0至20％，并且N₂O补足至按体积计100％。