[发明专利]电源关闭充电控制器

权利要求书

1.一种设备，包含：

输入节点；

耦合到所述输入节点的内部电容器；

输出节点；以及

临终喘息充电控制器，包括：

耦合到所述输入节点和所述输出节点的放电电路，其中当所述输出节点上的电压低于预充电压时，所述放电电路在起动时从所述输入节点提供充电到所述输出节点，并且其中当所述输入节点上的电压降至低于喘息电压时，所述放电电路从所述输出节点提供充电到所述输入节点；以及

耦合到所述输入节点和所述输出节点的泵电路，其中当所述输出节点上的电压低于充电电压时所述泵电路从所述输入节点提供充电到所述输出节点。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述放电电路进一步包含：

具有第一被动电极、第二被动电极和控制电极的第一晶体管，其中所述第一晶体管的所述第一被动电极耦合到所述输入节点；

耦合到所述输入节点和所述第一晶体管的所述控制电极的限流器；

具有第一被动电极、第二被动电极和控制电极的第二晶体管，其中所述第一晶体管的所述第一被动电极耦合到所述第一晶体管的所述第二被动电极，以及其中所述第二晶体管的所述第二被动电极耦合到所述输出节点；以及

具有第一输入端、第二输入端和输出端的放大器，其中所述放大器的所述第一输入端耦合到所述输入节点，以及其中所述放大器的所述第二输入端接收喘息电压，以及其中所述放大器的所述输出端耦合到所述第二晶体管的所述控制电极。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一晶体管是PMOS晶体管，其中所述第一被动电极是源极，所述第二被动电极是漏极，并且所述控制电极是栅极。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二晶体管是PMOS晶体管，其中所述第一被动电极是漏极，所述第二被动电极是源极，并且所述控制电极是栅极。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述泵电路进一步包含耦合到所述输入节点的低压降（LDO）调节器；以及在所述LDO调节器和所述输出节点之间耦合的充电泵。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述泵电路进一步包含充电泵。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述泵电路进一步包含升压变换器。

8.一种设备，包含：

输入节点；

耦合到所述输入节点的第一电容器；

输出节点；以及

临终喘息充电控制器，包括：

第一PMOS晶体管，其源极耦合到所述输入节点；

耦合到所述输入节点和所述第一PMOS晶体管的栅极的限流器；

第二PMOS晶体管，其漏极耦合到所述第一PMOS晶体管的漏极并且并其源极耦合到所述输出节点；以及

具有第一输入端、第二输入端和输出端的放大器，其中所述放大器的所述第一输入端耦合到所述输入节点，以及其中所述放大器的所述第二输入端接收喘息电压，以及其中所述放大器的所述输出端耦合到所述第二PMOS晶体管的栅极；以及

耦合到所述输入节点和所述输出节点的泵电路，其中当所述输出节点上的电压低于充电电压时，所述泵电路从所述输入节点提供充电到所述输出节点；以及

耦合到所述输出节点的第二电容器。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述泵电路进一步包含耦合到所述输入节点的LDO调节器；以及在所述LDO调节器和所述输出节点之间耦合的充电泵。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述LDO调节器进一步包含：

第三PMOS晶体管，其源极耦合到所述输入节点；以及

具有第一输入端、第二输入端和输出端的第二放大器，其中所述第二放大器的所述第一输入端接收所述充电电压，以及其中所述第二放大器的所述第二输入端耦合到所述输出节点，以及其中所述第二放大器的所述输出端耦合到所述第三PMOS晶体管的栅极。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述充电泵进一步包含：

耦合到所述第三PMOS晶体管的漏极的第一二极管；

在所述第一二极管和所述输出节点之间耦合的第二二极管；以及

第三电容器，其耦合到所述第一和第二二极管之间的节点并耦合到切换节点。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述设备进一步包含具有耦合到所述第三电容器的切换节点的降压变换器。